第4章-场效应管放大电路详解.pptVIP

* 第四章 * 例4.4.1 电路参数如图4.4.1b所示，Rg1=2MΩ，Rg2=47kΩ， Rdd＝30kΩ， R=2kΩ，VDD=18V，FET的Vp=一1V，IDSS＝0.5mA，试确定Q点。 解：根据式(4.1.2)和式(4.4.2)有 * 第四章 * * 第四章 * 将上式中vGS的表达式代人iD的表达式，得 iD ＝0.5mA(1+0.4—2 iD )2 解出iD =(0.95土0.64)mA，而IDSS=0.5mA， iD 不应大于IDSS，所以 　　 iD ＝IDQ＝0.31mA， 　　 vGS ＝VGSQ＝0.4—2iD＝一0.22V， vDS＝VDSQ=VDD一ID(Rd十R) 　　　 ＝ 8.1V。 * 第四章 * 　如果管子的输出特性和电路参数已知，则可用图解法进行分析。 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 当输人信号很小，FET工作在线性放大区(即输出特性中的恒流区)时，可用小信号模型来分析。 * 第四章 * 1．FET的小信号模型 在4.1节已讨论了FET的互导gm和输出电阻rd。FET还可用第三个小信号参数μ来描述，μ称为电压放大系数，它和gm 、 rd 有如下关系： μ ＝ gm rd 　　　　　　(4.4.3) * 第四章 * 　据此和gm、rd的定义[见式(4.1.3)和(4.1.5)]，可导出 μ是一个无量纲的数，同样可在特性曲线上求出。 * 第四章 * 如果用 gm 　 表示电压 　 控制的电流源，用rd表示电流源电阻，则作为双口有源器件的FET(图4.4.2a)，也可导出其小信号模型，如图4.4.2b所示。 图中，输入电阻rgs，是栅源间的电阻，由于FET为电压控制器件，其值极大。 ［转71］ * 第四章 * * 第四章 * 　当FET用在高频或脉冲电路时，极间电容的影响不能忽略，这时FET需用高频模型(图4.4.2c)来表示。 * 第四章 * * 第四章 * 2．应用小信号模型法分析FET放大电路 如图4.4.3a所示，为FET共源放大电路。分析步骤和BJT电路相同。 图4.4.3b为图4.4.3a所示电路的中频小信号模型，图中rd通常在几百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多，故此时可以认为rd开路。 * 第四章 * 　(1)中频电压增益 * 第四章 * 　式(4.4.5)中的负号表示 　 　 反相，共源电路属倒相电压放大电路。 (2)输入电阻 Ri=rgs //[Rg3+(Rg1// Rg2 )] 通常　　 rgs [Rg3+(Rg1// Rg2 )] 故　　 Ri≈ Rg3+(Rg1// Rg2) (4.4.6) * 第四章 * (3)输出电阻 Ro≈Rd 　　　　 (4.4.7) 　　例4.4.2 　典型的共漏电路——源极输出器如图4.4.4a所示，试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri和输出电阻Ro 。 解：　图4.4.4a的中频小信号等效电路如图4.4.4b所示。 (1)中频电压增益 ［转79］ * 第四章 * * 第四章 * * 第四章 * 　由图4.4.4b可知 * 第四章 * 　可见，当gm(R//RL)1时， ≈1，共漏极电路属电压跟随器。和射极输出器的 [式(3.5.3)]相比，可知FET的gm相当于BJT的(1+β)／rbe≈β／rbe。 (2)输入电阻 Ri≈Rg3+(Rg1//Rg2) (4.4.9) * 第四章 * (3)输出电阻 　令Vs＝0，保留其内阻Rs，将RL 开路，在输出端加一测试电压VT，由此可画出求共漏电路输出电阻Ro的电路，如图4.4.5所示。 由图有： * 第四章 * * 第四章 * * 第四章 * 　即共漏电路的输出电阻Ro等于源极电阻R和跨导的倒数1/gm相并联，所以输出电阻Ro 较小。 * 第四章 * 3．三种基本放大电路的性能比较 前面分析了共源极电路和共漏极电路，与BJT的共基极电路对应的，FET放大电路也有共栅极电路。FET的三种基本放大电路的性能如表4.4.1所示。 * 第四章 * * 第四章 * 最后还应指出，FET放大电路中的FET都工作于输出特性的线性放大区。如果使其工作于可变电阻区，那么FET可用作压控可变电阻。这时对应于一定的栅源电压vGS，则FET的漏源之间呈现相应的电阻 当vGS 发生变化，输出特性的斜率就改变，因此管子呈现的电阻也就跟着发生变化。 关于FET用作可变电阻等的详细讨论，可参阅有关文献。 * 第四章 * 4.5　各种放大器件电路性能比较 参阅表4.5.1。 * 第四章 * * 第四章 * 作业：4.4.4，4.4.5 *