第4章-晶体缺陷教案.pptVIP

攀移 位错在垂直于滑移面的方向运动，称为位错的攀移。在刃位错线处的一列原子可以由热运动移去成为间隙原子或吸收空穴而移去，这就使位错线上移一个滑移面，如图所示。 刃位错的攀移（a）正攀移；（b）原始位置；（c）负攀移 或者在刃位错线处，其他处的间隙原子移入而增添一列原子，使位错线向下移一个滑移面。位错线是空位源，也是空位消失地。当一对正、负位错在同一滑移面上相遇时，它们将相互抵消，以为这两个半原子面将合并成一个完整的原子面。 * （4） 位错密度 位错密度是指单位体积内全部位错线的总长，也可用单位截面上位错线的露头数目表示。位错密度可以衡量单晶质量的好坏。? ???? 位错的体密度： Nv=L/V V：晶体体积，L:位错线长度 位错的面密度：Ns=N/S S:单晶切面积，N穿透位切面的位错线个数 面积密度，通过化学腐蚀显示位错特征，在金相显微镜下可以直接观察，计算。 不同状态的晶体，位错密度波动很大。锗、硅中约102-103条/cm2。高度变形金属：1011-1012条/cm2 * （5）位错环 晶体内部的位错线，终止在晶体表面或晶界面上，形成一个封闭的回路，成为位错环。位错环中有螺旋位错，也有滑移，刃位错，也叫混合式位错。 本质位错环（晶格空位集聚引起） 外质位错环（间隙原子集聚引起） * 4.3 面缺陷 晶体的面缺陷是指在晶面的两侧原子的排列不同，有层错，双晶缺陷和晶界。 晶体按一定的规则层状堆积，有个层叠规律，如果某层中断或多出一层，不符合层叠规律，就形成了层错。 如图所示。如果ABCABC……堆积规律中，插入一层原子（如A层），称为外质层错；如果缺少一层原子，称为内质层错。 层错破坏了晶体的周期完整性，引起能量升高，通常把产生单位面积层错所需要的能量称为层错能。 　　层错能出现时仅表现在改变了原子的次近邻关系，几乎不产生点阵畸变。所以，层错能相对于晶界能而言是比较小的。层错能越小的晶体，则层错出现的几率越大。 * 双晶缺陷是指晶体双晶接触，或晶体在特定方向发生塑性变形，变形区原子和未变形区原子在交接处还是紧密接触（没有晶格失配），这种接触产生的面缺陷，叫双晶缺陷。两个孪晶接触的界面。 * 斜长石的格子双晶 固溶体的分离造成的 * 晶界 相同晶体不同晶向的晶粒间界简称为晶界，是多晶体常见的缺陷。晶界是多晶体中由于晶粒的取向不同而形成的，根据相邻两个晶粒取向之间的偏差大小，可分为小角度（10°）晶界和大角度（10°）晶界二类。 小角度晶界的倾斜角通常为2°-3°，可以看成是由一系列刃错位排列而成。 还有一种晶界： 结晶过程开始时，形成许多晶核。当进一步长大时，形成相互交错接触的许多晶粒聚集体较多晶体，各晶粒晶面交角大 。晶界具有无定形的性质。 多晶材料（陶瓷） * 4．4 体缺陷 空隙：饱和的晶格空位集聚在一起，形成的空隙，尺寸大约在一个微米一下；也可能超过100微米或1000微米，晶体生长过程中产生的气泡。 析出物：杂质浓度超过了其固溶度，以不同的物质析出在晶体中，比如氧沉底（SiO2），碳沉淀（SiC），形成了异质核。 析出物，有个临界尺寸，只有大于临界尺寸的，在晶体结晶过程中，才会稳定长大；小于临界尺寸的析出物，可能会再度消失，与其析出速度，溶解速度和浓度，温度，扩散系数有关。 * 第4章 晶体缺陷 晶体缺陷的分类 晶体缺陷的特征 * 质点严格按照空间点阵排列的晶体称为理想晶体。温度处于绝对零度时，才可能出现理想晶体。 温度升高时，质点排列总会或多或少地偏离理想晶体中的周期性、规则性排列，实际晶体中存在着各种尺度上的结构不完整性。 了解和掌握各种缺陷的成因、特点及其变化规律，对于材料工艺过程的控制，材料性能的改善，新型结构和功能材料的设计、研究与开发具有非常重要意义。 晶体的缺陷主要有 点缺陷，线缺陷（位错），面缺陷（晶界） 体缺陷（夹杂，沉淀） * * 4．1 点缺陷 根据点缺陷在晶格中分布方式，其存在形式分为如下三种： 1．空位 在晶体正常晶格结点位置上，某个质点跑掉了，即正常晶格结点没有被质点所占据，成为空结点，形成空位。 * 弗伦克尔（Frenker）缺陷 ? 晶体中正常晶格结点位置上的质点进入间隙位置，成为间隙