氧化石墨烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究.doc

氧化石墨烯纳米带能带结构和态密度的 第一性原理研究 王伟华卜祥天 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 棊于密度泛函理论，采用第一性原理方法，计算丫氧化石墨烯纳米带的电荷密 度、能带结构和分波态密度。结果表明，石墨烯纳米带被氧化后，转变为间接带 隙半导体，带隙值为0.375 eV。电荷差分密度表明，从C原子和H原子到0原 子之间有电荷的转移。分波态密度显示，在导带和价带中C-2s、2p，0-2p, H-ls 电子态之间存在强烈的杂化效应。在费米能级附近，0-2P态电子局域效应的贡 献明显，对于改善氧化石墨烯纳米带的半导体发光效应起到丫主要作用。 关键词： 氧化石墨烯纳米带;能带;分波态密度;第一性原理; 王伟华(1985-),男，内蒙古通辽人，傅士，副教授，2013年于内 蒙古大学获得学位，主要从事凝聚态理论计算材料光学性质的研究。 E-mail:chcnqiwangwcihua@163. com 收稿曰期:2017-08-15 基金:国家自然科学基金 Energy Band Structure and Density of States of Graphene Oxide Nanoribbons: The First Principle Calculations WANG Wei-hua BU Xiang-tian College of Physics and Electronics Information， Inner Mongolia University for Nationalities: Abstract： The charge density，energy band structure，density of states and project density of states of graphene oxide nanoribbons were investigated using the first principle calculations based on density functional theory. The results indicate that the graphene oxide nanoribbons are an indirect band gap semiconductor with an energy gap of 0. 375 c V. The charge density is transferred among C, 0 and H atoms. The project density of states show that the localization and hybridization between C_2 s，2 p, 0-2 p, H~1 s electronic states are induced in the conduction band and valence band. The localization is induced by 0-2 p electronic states at Fermi level. It plays a major role in improving the semiconductor luminescence effect of graphene oxide nanoribbons. Keyword： graphene oxide nanoribbons; energy band; project density of states; first principle calculations; Received： 2017—08—15 1引言 石墨烯纳米带(GNRs)是当前研究领域中最新的研究材料之一，因为具有优良 的电学和光学特性使其为制备高效的纳米电子器件提供丫咯实的材料棊础，引 起了科学工作者的广泛关注U1。石墨烯纳米带中的杂质种类对其电子性能影响 显著，经过一些实验证明，氧化石墨烯作为一种新型优异材料，由于具有可控 的带隙以及良好的溶解度和成膜性能，因此被应用于制备高效稳定的聚合物太 阳能电池等方面m。Higginbotham等利用纵向的多壁碳纳米管的解压方法，制 备出氧化石墨烯纳米带，并且材料屮含有较少的缺陷和杂质U1。掺杂金属的扶 手椅式石墨烯纳米带呈现出导体性质，并且不同的边缘结构促使其电子特性区 别明显m。在石墨烯纳米带的制作过程中，边缘的C原子常常被氧化或者被不 同官能团饱和，由于GNRs的特殊性质和边缘状态紧密相关，所以其电子特性和 边缘处的化学反应联系紧密。在对GNRs的研究中，缺陷、吸附以及掺杂对其结 构和性质都会有影响。在掺杂原子屮，B、C、N处于元素周期表的同一周期，所