[理学]半导体物理 第4章 半导体的导电性-赵老师-2012.ppt

作业: 晶格振动中存在格波波矢不同,但每个原子振动情况完全相同的情形吗? 晶格振动的声学波和光学波有什么区别? * 物理与光电工程学院 3. 电阻率为10?.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。 解：查表4-15(b)可知，室温下，10?.m的p型Si样品的掺杂浓度NA约为： 查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为, 例题： 由于 则 * 物理与光电工程学院 6. 设电子迁移率0.1m2/( V??s),Si 的电导有效质量mc=0.26m0, 加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。 解：由 知平均自由时间为 平均漂移速度为 平均自由程为 * 物理与光电工程学院 作业： 4，5 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 而这个电子获得的漂移速度为： 由于在t~t+dt时间内受到散射的电子数为： 这些电子的总的漂移速度为: * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 （4-33） 对所有时间积分就得到N0个电子漂移速度的总和。再除以N0即得到平均漂移速度： 假定每次散射后v0的方向完全无规则，多次散射后v0在x方向分量的平均值应为零，即： * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 再利用 得： 式中?n表示电子的平均自由时间。 （4-34） * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 得到电子迁移率为： 同理，空穴迁移率为： （4-36） （4-35） 迁移率与平均自由时间成正比，与有效质量成反比。 根据迁移率的定义： * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 n型半导体： p型半导体： 本征半导体： 将式迁移率的式子代入电导率描述式，得到同时含有两种载流 子的混合型半导体的电导率： （4-37） （4-38） （4-39） * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设硅的等能面分布及外加电场方向如图所示。电子有效质量分别为mt和ml。不同极值的能谷中的电子，沿x，y，z方向的迁移率是不同． 对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶体的不同方向有效质量不同，所以迁移率与有效质量的关系较为复杂． 下面以硅为例说明。 * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 推导电导有效质量示意图 对[100] 能谷中的电子，沿x方向的迁移率为： μ1 =qτn／ml 其余能谷中的电子，沿x方向的迁移率为： μ2 =μ3 =qτn／mt （4-40） （4-41） * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 如令 （4-42） （4-43） 比较以上两式，得： 设电子浓度为n，每个能谷单位体积中有n/6个电子，电流密度Jx为： ---电导迁移率 （4-44） * 物理与光电工程学院 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 把电导迁移率仍写为如下形式： 将?1, ?2, ?3代入得到： （4-45） 称mc为电导有效质量。 对硅， （4-46） * 物理与光电工程学院 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电离杂质散射： 声学波散射： 因为迁移率与平均自由时间成正比，而平均自由时间又是散射几率的倒数，根据各散射机构的散射几率与温度的关系,可以获得不同散射机构的平均自由时间与温度的关系： Ni 为电离杂质浓度。 光学波散射： 忽略缓变函数f中的温度影响 * 物理与光电工程学院 声学波散射： 电离杂质散射： 光学波散射： （4-47） （4-48） 可得迁移率与杂质浓度及温度的关系为： 由 （4-49） 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 总平均自由时间： 迁移率： （4-50） 若几种散射同时起作用时，则总的散射概率应该是各种散射概率的总和，即： （4-51） （4-52） 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 多种散射机构同时存在时，与每种散射单独存在时比起来，平均自由时间变得更短了，且趋向于最短的那个平均自由时间；迁移率也更少了，且趋向于最少的那个迁移率．在实际情况中，应找到起主要作用的散射机构，迁移率主要由它决定。 结论 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 由式（4-52），总的迁移率可表示为： 下面以掺杂Si、Ge半导体为例，定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化情况．在这种半导体中，通常起主要作用的散射机构是声学波散射和电离杂质散射． （4-54） 由式（4-47）和式（