[理学]半导体物理课件 第三章.ppt

l??费米能级位于导带和施主杂质能级中间。 l??费米能级和温度关系：存在一极值： 在NC=NDe-3/2≈0.11ND达到极值。 此式取对数，由lnn0T-3/4和T关系为一直线。通过实验测定其斜率可确定出杂质电离能，得到杂质能级的位置。 中间电离区：温度继续升高，当2NC＞ND后，EF表达式中第二项为负值。这时EF下降到(EC+ED)/2 以下。 当EF＝ED时，施主杂质1 /3电离。 强电离区：当温度升高至大部分杂质都电离时称为强电离： n0≈nD+≈ND， 载流子浓度与温度无关。 载流子浓度保持等于杂质浓度的这一温度范围称为饱和区。 这时ED－ EFk0T，费米能级EF下降到ED以下。 在强电离时： 费米能级由温度及施主杂质浓度所决定； 由于在一般掺杂浓度下NC＞ND，EF第二项是负的。在一定温度下，ND越大，EF就越向导带方面靠近。而在ND一定时、温度越高，EF就越向本征费米能级Ei方面靠近。 达到杂质全部电离，杂质浓度应有限度。如认为施主全部电离的大约标准是90％的施主杂质电离，满足此条件则杂质浓度有一上限。 因ED － EFk0T， 施主能级上的电子浓度(即未电离杂质浓度)为： 由前一式 EF表达式带入： 其中： ， 应是施主杂质中未电离杂质比率。 D—与温度、杂质浓度和杂质电离能都有关系。所以杂质达到全部电离的温度不仅决定于电离能，而且也和杂质浓度有关。杂质浓度越高，则达到全部电离的温度就越高。通常所说的室温下杂质全部电离，实际上忽略了杂质浓度的限制，当超过某一杂质浓度时，这一认识就不正确了。 如若施主全部电离的大约标准是90％的施主杂质电离,那么D—约为10％。掺磷的n型硅，室温时Nc＝2．8×1019cm3, △ED＝0.044eV, k0T＝0.026eV， 得磷杂质全部电离的浓度上限为 ≈3×1017cm3 过渡区: 当半导体处于饱和区和完全本征激发之间时称为过渡区。这时导带上的电子一部分来源于全部电离的杂质，另一部分则由本征激发提供，价带中产生了一定量空穴。 电中性条件：n0=p0+ND 同理 电中性条件：ND=n0-p0 本征激发时n0＝p0＝ni, n0×p0＝ni2的关系，解此联立方程 当电子浓度比空穴浓度大得多，考虑NDni。半导体在过渡区内更接近饱和区。电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 后者的数量虽然很少，但它在半导体器件工作中却起着极其重要的作用。 no和po数量相近，都趋于ni，NDni，这时过渡区内更接近于本征激发的情况 高温本征激发区：温度升高到本征激发产生的本征载流子数远多于杂质电离产生的载梳子数，这种情况与未掺杂的本征半导体情形一样，杂的本征半导体情形一样，因此称为杂质半导体进入本征激发区。这时，费米能级接近禁带中线，而载流子浓度随温度升高而迅速增加。显然，杂质浓度越高达到本征激发起主要作用的温度也越高： n0，p0ND; 电中性条件：n0＝p0 少数载流子浓度：n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴称为多数裁流子(简称多子)，而n型半导体中的空穴和p型半导体书的电子体为少数载流子(简称少子)。 在强电离情况下：多子浓度＝杂质浓度， 少子浓度和本征载流子浓度的平方成正比、而和多子浓度成反比。因为多子浓度在饱和区的温度范围内是不变的，而本征载流子浓度和温度关系为 所以少子浓度将随着温度的升高而迅速增大 p型半导体 低温弱电离区： 强电离饱和区 过渡区 以上讨论中看到： 掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 对于杂质浓度一定的半导体，随温度从低到高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，相应地，费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近禁带中线处。 譬如n型半导体，在低温弱电离区时，导带中的电子是从施主杂质电离产生的；随着温度升高，导带中电子浓度也增加，费米能级则从施主能级以上，下降到施主能级以下