[工学]模拟电路课件S4.ppt

例1：判别BJT的工作状态 Uc=6V，UB=-3.3V，UE=-4V Uc=8V，UB=-2V，UE=-1.3V Uc=6V，UB=6.5V，UE=5.6V 作业 P115 复习思考题： 4.1.1 4.1.2 P185 习题： 4.1.1 4.1.2 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，即在数值上可以相互替代。 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM =ICVCE 3. 极限参数 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO：发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO：集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO：基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 1. 温度对BJT参数的影响 2. 温度对BJT特性曲线的影响 小结 放大电路与有源器件——发展史 BJT的结构 BJT的工作原理 电流分配关系IE=IC+IB 和共基、共射、共集组态的输入输出电流控制关系 放大原理 BJT的输入、输出特性曲线 BJT的主要参数 BJT参数受温度的影响 * 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.0 引言 4.1.0 引言 放大电路与有源器件 有源器件是实现小信号能量控制与转换的必要器件，因而也是放大电路的核心器件，其发展大体上经历了三代 电子管 晶体管（半导体三极管） 集成电路（运算放大器） 电子学发展史上的里程碑事件 1883年，爱迪生发明白炽灯 ，并发现烧红的铁会散发出电子云 ——爱迪生效应。 1904年，弗莱明发明电子真空二极管，此后不久，美国发明家德福雷斯特发明真空三极管——电子工业的起点。 1947年，美国贝尔实验室的肖克莱发明晶体管（半导体三极管）——固体电子时代的开端。 1958年，美国德州仪器公司的科学家基尔比及其研究小组研制出世界第一块集成电路——微电子时代的到来。 威廉?肖克莱(1910-1989)—晶体管之父，硅谷的“摩西”，1956年诺贝尔物理学奖得主。 杰克?基尔比(1923-2005)—集成电路之父，2000年诺贝尔物理学奖 罗伯特?诺伊斯(1927-1990)—集成电路共同发明人，英特尔创始人之一，硅谷“市长”。 各种类型的电子管 各种封装的国产三极管实物 贴片封装的三极管及三极管排实物 各种有源器件尺寸比较（发烧级声卡例） 新中国生产的第一批红星牌五灯电子管收音机 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 BJT三极管的结构示意图，有 NPN和PNP两种类型。 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管电路符号 (d) PNP管电路符号 NPN型 PNP型 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 信号源 负载 模拟信号的放大 1. 三极管的三种组态 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接