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这种 X 射线源的亮度最强，效率较高，一台 X 射线源可以支持多达 16 台曝光设备。 但这种 X 射线源极其庞大昂贵，电子同步加速器的直径可达五米以上。限制来自磁场方面。如果将来能获得高临界温度的超导材料，则利用超导磁场可建立直径约两米的紧凑型电子同步加速器。此外，这种 X 射线源还存在辐射安全问题。 5 接近式 X 射线系统 由于很难找到合适的材料对 X 射线进行反射和折射， X 射线透镜的制造是极其困难的，因此只能采用 接近式曝光方式。为使由点光源发射的 X 射线尽量接近平行光，应使光源与掩模的距离尽量远。对于大规模集成电路的制造来说，由于受到掩模尺寸的限制，只能采用步进的接近方式。 光刻用的 X 射线波长约为 1nm，可以忽略衍射效应。影响 X 射线分辨率的主要因素是由于 X 射线源不是严格的点光源而引起的 半影畸变，和由于 X 射线的发散性而引起的 几何畸变。 靶 电子束 X 射线 掩模版 硅片 抽气 1、半影畸变 2、几何畸变 要使δ 和 ?max 减小，应增大 D 或减小 S 。但太大的 D 值会减小 X 射线的强度。另外，由于几何畸变的影响要比半影畸变的大，可以采用步进的方法来减小每步曝光的视场尺寸 W ，从而减小几何畸变 ?max ，或在设计掩模版时进行补偿。 例如，若 d = 5 mm，D = 400 mm，S = 5 ?m ，则半影畸变δ = 0.06 ?m 。 硅片直径要根据所允许的几何畸变 ?max 来确定。如果允许 ?max = 0.1 ?m ，则 W 仅为 16 mm 。反之，若 W 为 100 mm ，则 ?max 会高达 0.6 ?m 。 正在研究中的 X 射线透镜 1、掠射角金属反射镜 2、Kumakhov 透镜 3、多层反射镜 X 射线光刻工艺最困难的地方之一就是掩模版的制造，对掩模版的基本要求是反差要大，但是对于 X 射线，当波长小于 0.2 nm 时，对绝大部分材料都能穿透；当波长大于 4 nm 时，对绝大部分材料都将被吸收。只有在 0.2 nm ~ 4 nm 的范围内，可以用低吸收的轻比重材料如 Si、Si3N4 、SiC、BN 等制作透光部分，厚度约 2 ~ 10 ?m ；用重金属材料如 Au、Pt、W、Ta 等制作不透光部分，厚度约 0.2 ~ 0.5 ?m 。 6 薄膜型掩模版 以 “ 硅—金 ” 掩模为例。 表面SiC 背面氧化 N - Si 背面光刻 正面蒸金 光刻金 腐蚀硅 由于透光与不透光的材料之间存在较大的应力，使掩模版的精度受到影响。正在开发杨氏模量较大的金刚石作为基片，但价格昂贵，加工困难。由于不能采用缩小曝光，给制版造成困难。此外，掩模版的清洗和维修问题也没有解决。因此至今尚无商业化的 X 射线掩模版的供应。 原来预计，对于 0.5 ?m 以下的细线条，必须使用 X 射线曝光。但是随着移相掩模版等光学曝光技术的新发展，使光学曝光技术的分辨率极限进入了亚波长范围，甚至达到 0.1 ?m ，从而使 X 射线曝光在大规模集成电路制造中的实际大量应用将继续推迟。 3、可穿透尘埃，对环境的净化程度的要求稍低。 缺点 1、X 射线源的发射效率低，散热问题严重； 2、X 射线不能偏转与聚焦，本身无形成图形的能力，只能采用接近式曝光方式，存在半影畸变与几何畸变； 3、薄膜型掩模版的制造工艺复杂，使用不方便。掩模版本身仍需用传统的光学或电子束方法制造； 优点 1、可忽略衍射效应和驻波效应，分辨率较高； 2、曝光效率高； 4、对硅片有损伤。 7 投影式 X 射线光刻 深紫外光（DUV）曝光的波长下限是 170 nm ，这是因为当波长小于 170 nm 时，在这一范围内唯一可用于掩模版透光部分的玻璃或石英材料会大量吸收光波能。因此即使在使用了移相掩模等先进技术后，利用 DUV 折射成像曝光所能获得的最细线宽只能到 0.1 ?m 。另一方面，X 射线由于无法进行折射和反射，只能采用 1 ：1 接近式曝光，掩模版的制作极为困难，掩模版与晶片之间缝隙的控制也很不容易。 近年来，在能对波长较长的所谓 “ 软 X 射线 ” 进行反射的反射镜的研制方面取得了很大的进展