[工学]传感器第四章2006.ppt

第四章 第四章 二、工作原理 图a）当B=0时由于基区宽度载流子的有效扩散长度，发射区注入的载流子少数输入c、大部分通过e-p-b形成Ib，IbIc，电流放大倍数β1。 图b）当受到正向磁场（B+）作用时载流子受FL作用向发射区一侧偏转，使IC明显下降，同时基区复合增大，Ib增加量较小，β减小。 图c）当受反向磁场（B-）作用时载流子受FL作用向集区一侧偏转，使IC增大，基区复合减小，β增加，IB几乎不变。 显然，在正、反向磁场作用下，其Ic出现明显变化。 以npn型Ge磁敏三极管为例。 三、磁敏三极管的主要特性 1. 伏安特性 与普通晶体管的伏安特性曲线类似，图给出磁场为±1KGS、Ib为3mA时伏安特性曲线，看出，B变化时Ic的变化，或放大倍数的变化。 2. 磁电特性 n-p-n型Ge磁敏三极管（3BCM）的磁电特性曲线。在弱场时，曲线接近一条直线。可利用这一线性关系测量磁场。 3BCM磁敏三极管磁电特性 3. 温度特性及补偿 图Ge磁敏三极管的温度特性，有正温度系数，而硅磁敏三极管Ic具有负温度系数。Si管的温度补偿: ①.正温度系数普通三极管BG1补偿图a） ②.正电流温度系数锗磁敏二极管进行补偿图b） ③.用两只特性一致、磁极相反的磁敏三极管组成的差分电路图c） 一种有效的温度补偿电路，又可提高磁灵敏度。 4.3 结型磁敏器件 4.3.1 磁敏二极管 Magnetodiode 4.3.2 磁敏三极管 Magnetotransistor 4.3.3 结型磁敏元件的应用 Application 4.3 结型磁敏器件Junction magnetic device 1. 磁场测量－-2ACM索尼二极管的应用 由四个磁敏二极管组成桥式磁敏探头，差分放大探头的输出信号，由微安表指示测试值。在B=0时磁桥输出为0，校准调节RW2(10k)电位器使微安表读数为0。当B0时有BT存在，1、4管截止，磁桥输出⊿VAB0,放大后表头指示B，当B0即改变方向时，表头指针反转。 一种小量程高斯计的电路图 2. 无触点开关 电路由四只磁敏二极管组成检测电路,可进行温度补偿。无磁场时磁敏电桥无信号输出；当磁铁运行到距磁敏桥一定位置时有信号输出，加在VT1的基极上使其导通，R1上压降增高，使晶闸管VT2导通，继电器K工作，其常开触点K-1和K-2闭合，指示灯点亮，控制电路接通。 无触点开关的电路 3. 无触点电位器 一般电位器由于触点常产生噪声信号，寿命不长。磁敏元件制作的无触点电位器可克服上述缺点，图中磁敏元件使用磁敏二极管或霍尔线性传感器，置在单个磁铁下或两个磁铁间，当旋动电位器手柄时磁铁跟着转动，使磁敏元件表面的B发生变化，其输出电压将随手柄的转动而变化，起到电位调节的作用。 4.1 霍尔元件 Hall Cell 4.2 半导体磁阻器件 Semiconductor magnetic–resistance device 4.3 结型磁敏器件 Junction magnetic device 4.4 铁磁性金属薄膜磁阻元件 Magnetic-resistance cell of iron metal film 4.5 新型磁传感器 New magnetic sensors 4.4.1 铁磁体中的磁阻效应 Magnetic-resistance effect of iron metal film 4.4.2 铁磁薄膜磁敏电阻的结构与工作原理 Configuration and work principle of iron-metal film resistor 4.4.3 铁磁薄膜磁敏电阻的技术性能及特点 Technology performance and characteristics 4.4 铁磁性金属薄膜磁阻元件 Magnetic-resistance cell of iron metal film 铁磁性金属薄膜磁阻元件----具有很小的温度系数，性能稳定，灵敏度高，且制备工艺简单，是一种很有前途的磁敏元件。 铁磁材料的磁电阻各向异性效应------ρ的变化与 和 的相对取向有关。同时ρ的大小随磁场而变化 其电阻率ρ为： ρ⊥为电流方向与磁场方向互相垂直时材料的电阻率； р∥为电流方向与磁场方向互相平行时材料的电阻率； θ为电流方向与磁场方向的夹角。 磁阻效应的大小表示： 此各向异性效应与自发B在晶体内的取向和不同磁相体积浓