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第一章 半导体基础及应用电路 1.1 半导体基础知识 1.1半导体材料及导电特性 1.1 .1 本征半导体 1.1 .1 本征半导体（intrinsic semiconductor） （二）本征激发和两种载流子 （三）本征载流子（intrinsic carrier）浓度 1.1.2 杂质半导体（donor and acceptor impurities） （一）N型半导体（N Type semiconductor） （一）N型半导体（N Type semiconductor） （二）P型半导体（P type semiconductor） （二）P型半导体（P type semiconductor） （三）杂质半导体中的载流子浓度 （三）杂质半导体中的载流子浓度 1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流 (二）扩散 电 流（diffusion current） §1.2 PN结 §1.2 PN结 1. PN结的形成 2. PN结的特点 1.2.2 PN结的单向导电特性 1. 正向偏置，正向电流 2. 反向偏置，反向电流 1.3 晶体二极管及应用 1.3 晶体二极管及应用 1.3.1 晶体二极管的伏安特性 1．3．2 二极管的电阻 1．3．3 二极管的等效模型 [例1.1] Si二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图1.25所示。求二极管工作点UD和ID的值。 解：将二极管用恒压源模型近似。对于导通的Si管，其工作点电压UD变化不大，可取UD ≈UON ≈0.7V，由此可算出 2．二极管的交流小信号等效模型 1.3.4 二极管应用电路 1.3.4二极管应用电路 1．3．6 PN结电容 二极管主要参数 电路仿真 返回 ud ID uD Q ● UD id iD 1 整流电路 ui0，二级管截止，iD=0，uo=0 ui0，二级管导通， ，uo=ui 电路仿真 2二极管限幅电路 右图为双向的限幅电路 如果设：二极管的开启电压UON = 0.7V 则有：|ui|UON 时，VD1和VD2都截止，回路中的电流iD= 0，uo= ui 。 iD 如果， ui UON ， VD1导通VD2截止，回路中的电流， 利用二极管正向稳压特性，uo= UON 。 如果， ui - UON ， VD1截止VD2导通，回路中的电流， uo = -UON 。 uD iD UON 电路仿真 返回 iD 3 二极管钳位电路 钳位电路是一种能改变信号的直流电压成分的电路，下图是一个简单的二级管钳位电路的例子。 设输入信号ui为幅度+2.5V的方波信号， ui 2.5V -2.5V 当ui=- 2.5V时，VD导通，回路中的电流 iD对电容C充电，由于rd 较小，充电时间常数=C rd很小，充电迅速，使: uo 5V 电路仿真 返回 uc=-ui=2.5V， uo=ui + uc= ui+2.5V=0 当ui0时，VD截止， iD=0，回路无法放电，使电容C的电压保持uc=ui=2.5V， 而输出电压： uo=ui+uc= ui+ 2.5V=5V iD IZmin IZmax UZ IZ ● ΔUZ 返回 uD Ui UO 电路仿真 返回 IZ IL iD IZmin IZmax UZ IZ ● ΔUZ uD IR * 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结原理 1.3 晶体二极管及应用应用 返回 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 漂移电流与扩散电流 引言 返回 返回 返回 当Si（或Ge）原子组成单晶体后，各原子之间有序、整齐的排列在一起，原子之间靠得很近，价电子不仅受本原子的作用，还要受相邻原子的作用。 因此Si（或Ge）单晶体每个原子都从四周相邻原子得到4个价电子才能组成稳定状态。即每一个价电子为相邻原子核所共有，每相邻两个原子都共用一对价电子。形成共价键结构。 根据原子的理论：原子外层电子有8个 才能处于稳定状态。 返回 量子力学证明：原子中电子具有的能量状态是离散的，量子化的，每一个能量状态对应于一个能级，一系列能级形成能带。 Eg a: 空穴带正电量 b：空穴是半导体中所特有的带单位正电荷的粒子，与电子电量相等，符号相反 c：空穴在价带内运动，也是一种带电粒子。在外电场作用下可在晶体内定向移动 空穴： 自由电子载流子：带单位负电荷 空穴载流子 ：带单位正电荷 返回 本征激发 电子 空穴 Eg 1 电子 空穴 随机碰撞 复合 （自由电子释放能量）电子空穴对消失 2 3 本征激发 动态平衡 复合 是电子空