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效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Bruno Burger, Benriah Goeldi, Dirk Kranzer, Heribert Schmidt 23rd EU PVSEC, Valencia, Spain 2008年9月1号至4号， Fraunhofer 太阳能系统协会(ISE) Fraunhofer 太阳能系统协会 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 硅的局限性 SiC MOSFETs和结型场效应管(JFETs) 三相逆变器实验 单相逆变器实验 实用性和成本 小结 内容 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 半导体性质 导热性（W/cmK) 饱和速度（ cm/s） 带隙（eV） 硅和碳 立方体和六边形结构（4H) 来源: www.wikipedia.de 来源: www.siced.de 击穿范围(MV/cm) 电子迁移率(*103 cm2/Vs) 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 SIC 二极管 高阻断电压 高开关速度 高温时稳定性好 来源：www.nasa.qov 来源:www.siced.de 来源:prof.kolar.ETH.Zurich 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 厚度减少的极限 IGBT的改进主要 通过减少厚度 现在:120 极限:80 技术极限 物理极限 现在元件 具体击穿电压 [Kv] 元件厚度[um] 来源:Dr. Oscar Apeldoorn, ABB Switzerland: “Medium Voltage Drives from Kilowatt to Megawatt”, PCIM CHINA 2008,Shanghai, China, 18.-20. 03. 2008 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 最小导通电阻 当今水平（T-MAX): Si-MOSFET: 560 mΩ SiC-FET: 50 mΩ (6 mΩ) 理论极限（T-MAX): Si-MOSFET: ≈ 400 mΩ SiC-FET: ≈ 1 mΩ 击穿电压/V 导通电阻 Ωcm2 来源: Sima Dimitrijev, Philippe Jamet: Advances in SiC power MOSFET technology; Microelectronics Reliability 43 (2003) 225-233 Leo Lorenz: Power Semiconductors development trends; IPEMC 2006 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 SiC晶体管 SiC-MOSFET : 1200 V : 20 / 40 A : 100 / 50 mΩ 封装: TO 247 自然关断 SiC-JFETs : 1200 V ID: 15 / 30 A : 125 / 63 mΩ 封装：TO 247 自然关断 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 三相光伏逆变器 B6-Bridge 双极性开关(+, -) 750 7 kW 开关频率：16.6 kHz 功率半导体器件 IGBT 2 (BSM15GD120DN2), IGBT 3 (FS25R12YT3), IGBT 4 (FS25R12W1T4) SiC-MOSFET (CNM 1009) 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 三相光伏逆变器 IGBT模块 铁氧体电感 基于DSP数字控制 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 三相光伏逆变器效率 新型IGBT换代时间为5年 20年内IGBT将会和目前的SiC元件具有同样的性能 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器 Fraunhofer 太阳能系统协会 利用SiC晶体管光伏逆变器的经济效益 一台Δ Eta Euro = 2.0%的7kW光伏逆变器 能量增益/年 最大再生能源发电补助/kwh 效率提高带来的增益/年 效率提高带来的增益/10年 弗莱堡 ， 德国 阿尔梅亚， 西班牙 马赛， 法国 效率可达98.5%的采用SiC-MOSFE