[工学]第二章 薄膜的形成、生长与缺陷.pptVIP

薄膜的形成、结构与缺陷 西北大学信息科学与技术学院 赵丽丽 基本要求： 了解薄膜的形成、结构与缺陷； 理解成核理论。 薄膜的形成、结构与缺陷 2.1 薄膜的形成 2.2 薄膜的外延生长 2.3 薄膜的结构与缺陷 2.1 薄膜的形成 2.1.1 薄膜的生长过程及其分类 2.1.2 形核理论 2.1.1 薄膜的生长过程及其分类 原子到达衬底表面先在衬底上形成一些均匀、细小、可以运动的原子团（ “岛” ）。小岛不断接受新的沉积原子，并与其他小岛合并逐渐长大，而岛的数目则很快达到饱和。在小岛合并过程进行的同时，空出来的衬底表面上又会形成新的小岛。这一小岛形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，最后只留下一些孤立的孔洞和沟道，后者不断被后沉积的原子所填充。在空洞被填充的同时，形成了结构上连续的薄膜。 小岛合并的过程一般要进行到薄膜厚度达到数十纳米的时候才告结束。 2.1.1 薄膜的生长过程及其分类 岛状生长模式 层状生长模式 层岛结合模式 2.1.2 形核理论 自由能 2.1.2 形核理论 自由能 自发形核，指的是整个形核过程完全是在相变自由能的推动下进行的。 非自发形核，指的是除了有相变自由能作推动力之外，还有其他的因素起着帮助新相核心生成的作用。 临界核 2.1.2 形核理论 一、新相的自发形核 定义：ΔGv是单位体积的固相在凝结过程中的相变自由能之差。 当过饱和度为0时，ΔGv＝0 ，没有新相核心可以形成（或者已经形成的新相核心不再长大）； 当气相存在过饱和现象时，ΔGv0 ，它就是新相形核的驱动力。 2.1.2 形核理论 形成一个核心时，系统的自由能变化是： 2.1.2 形核理论 ΔG*相当于形核过程的能垒，在气相过饱和度较大时，所克服的能垒也较低。热激活过程提供的能量起伏将使某些原子团具备了ΔG*大小的自由能涨落，从而导致新相核心的易于形成。 2.1.2 形核理论 二、薄膜的非自发形核 薄膜的非自发形核过程的临界自由能变化可以写成两部分之积的形式： 2.1.2 形核理论 2.2 薄膜的外延生长 2.2.1 概念与分类 2.2.2 点阵失配与外延缺陷 2.2.1 概念与分类 外延生长在半导体技术中具有极其重要的作用。薄膜的外延要求薄膜与衬底材料之间实现点阵的连续过渡。 较高的衬底温度和较低的沉积速率有利于形成具有高度完整性的薄膜。 除上述方法外，在实际的单晶薄膜生长中还采用高度完整的单晶表面作为薄膜非自发形核的衬底。这种在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜的方法被称为外延生长。 2.2.1 概念与分类 根据外延生长的技术可以分为：液相外延（LPE）、气相外延（VPE）、分子束外延（MBE）等。 根据衬底和薄膜的组分异同可以分为同质外延和异质外延。 2.2.2 点阵失配与外延缺陷 点阵失配度： 衬底与薄膜的取向关系 外延时薄膜与衬底之间存在一定的取向关系。例如，在GaAs（110）面上外延体心立方结构的Fe时，其外延取向关系为： (110)Fe||(110)GaAs 点阵失配会引发缺陷，例如：位错。 2.3 薄膜的结构与缺陷 2.3.1 薄膜的结构 2.3.2 薄膜的缺陷 2.3.1 薄膜的结构 薄膜的结晶形态： 1、无定形状态 2、多晶结构 3、纤维结构 4、单晶结构 无定形状态 无定形状态薄膜：从原于排列情况来看它是一种近程有序结构。就是在2—3个原子距离内原子排列是有秩序的，大于这个距离其排列是杂乱无规则的。这种结构显示不出任何晶体的性质。这种结构有时称为非晶结构或玻璃态结构。 无定形状态 无定形结构薄膜在环境温度下是稳定的。它不是具有不规则的网络结构（玻璃态），就是具有随紧密堆积的结构。前者主要出现在氧化物薄膜、元素半导体薄膜和硫化物薄膜之中。后者主要出现在合金薄膜之中。 无定形结构的薄膜在X射线衍射图中呈现很宽的漫散射峰，在电子衍射图中则显示出很宽的弥散形光环。 多晶结构 多晶结构薄膜是由若干尺寸大小不等的晶粒所组成。在薄膜形成过程中生成的小岛就具有晶体的特征（原子有规则的排列）。由众多小岛聚结形成薄膜就是多晶薄膜。 在多晶结构中存在晶粒间界（又称为晶界）。 多晶结构的薄膜在X射线衍射图中呈现出典型的晶相峰。 纤维结构 纤维结构薄膜是晶粒具有择优取向的薄膜。 薄膜的择优取向可发生在薄膜生长的各个阶段：初始成核阶段、小岛聚结阶段和最后阶段。 通常，通过制备具有纤维结构的薄膜，能够提高薄膜的性能。例如，ZnO薄膜。 在X射线衍射研究时，择优取向非常好的纤维结构薄膜只显示其择优生长的方向。 单晶结构 单晶结构的薄膜通常由外延工艺制造。 2.3.2 薄膜的缺陷 2.3.2 薄膜的缺陷 点缺陷： 本征缺陷：空位、填隙原子 杂质原子：置换型、填隙型 线缺陷：位错 面缺陷：层错 体缺