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[理学]第2章逻辑门电路1
2.4 MOS逻辑门 单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 主要介绍NMOS和CMOS门电路。 NMOS管的开关特性 MOS管和晶体管一样可以当开关用。 如图所示,RD为负载电阻,T为负载。 NMOS管的开关特性 当用增强型NMOS做工作管时,如输入电压vI为高电平(大于开启电压VT)则NMOS管导通,开关闭合,输出电压vO为低电平。 NMOS管的开关特性 输入电压vI为低电平时则NMOS管截止,开关断开,输出电压vO为高电平。 PMOS管的开关特性 ⒈ NMOS 门电路 ⑴NMOS 反相器 ⑵NMOS 与非门 ⑶NMOS 或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS 异或门 ⑹NMOS 三态门 ⑴NMOS反相器 T1管为工作管(驱动管、控制管),T2管为负载管,故此电路称为有源负载反相器。 ⑴NMOS反相器 饱和型负载反相器有两个缺点: ⑴NMOS反相器 非饱和型有源负载反相器如图2-26所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 ⑶NMOS或非门 ⑶NMOS或非门 ⑶NMOS或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS异或门 ⑸NMOS异或门 ⑹NMOS三态门 图2-31所示电路为NMOS三态门。 ⒉ CMOS门电路 CMOS: Complementary-Symmetry Metal-Oxide Semiconductor ⑴CMOS反相器 ⑵CMOS与非门 ⑶CMOS或非门 ⑷CMOS三态门 ⑸CMOS传输门 ⑴CMOS反相器 CMOS反相器是构成CMOS集成电路的基本单元。 如图2-32为CMOS反相器电路,是由互补的增强型NMOS管T1和PMOS管T2串联组成的。 ⑴CMOS反相器 ⑴CMOS反相器 vI输入低电平时:vI=VILVT1时,T1管截止。 但对于PMOS负载管: VG2较低,使|VGS||VT2|,因此T2充分导通。 ⑴CMOS反相器 由于T1的截止电阻远比T2的导通电阻大得多,所以电源电压差不多全部降落在工作管T1的漏源之间,使反相器输出高电平VOH≈VDD。 ⑴CMOS反相器 当vI=VIHVT1时,T1管导通。 但对于PMOS负载管:VG2较高,使|VGS||VT2|,因此T2管截止。 ⑴CMOS反相器 由于T2的截止时相当于一个大电阻,T1的导通电阻相当于一个较小的电阻,所以电源电压几乎全部降落在负载管T2上,使反相器输出低电平且很低,VOL≈0V。 特点(1) ⒈CMOS反相器的静态功耗非常小。 原因:由于CMOS反相器处于稳态时,无论是输出高电平还是输出低电平,其工作管和负载管必有一个截止而另一个导通,因此电源向反相器提供的仅为纳安级的漏电流,所以CMOS反相器的静态功耗非常小。 特点(2) ⒉CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小,电路的工作速度大为提高。 原因:由于CMOS反相器的工作管和负载管不同时导通,因此其输出电压不取决于两管的导通电阻之比。这样,通常可使PMOS负载管和NMOS工作管的导通电阻都较小。所以,CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小,电路的工作速度大为提高。 ⑵CMOS与非门 工作原理: ⑵CMOS与非门 工作原理: ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 ⑶CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 ⑷CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 ⑸CMOS传输门 CMOS传输门是逻辑电路的一种基本单元电路,其功能是一种传输信号可控开关电路。 CMOS传输门电路如图2-36所示。 ⑸CMOS传输门 工作原理: ⑸CMOS传输门 工作原理: ⑸CMOS传输门 结论: 模拟开关 利用CMOS传输门和非门可构成模拟开关,如图2-37所示。 例: 图2-33所示电路为两个输入端的CMOS与非门。 当输入A、B中有一个为低电平时,两个串联的NMOS管中必有一个截止,于是电路输出为高电平。 电路的输入和输出之间是与非逻辑关系。 当输入A、B至少有一个高电平时,并联的NMOS管T1和T2中至少有一个导通,串联的PMOS管T3、T4至少有一个截止,因此输出为低电平; 当输入A、B都为低电平时,并联NMOS管
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