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绪论 绪论 1）电力电子技术的发展集中体现在电力电子器件的发展上； 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 交流电变为直流电的方法除水银整流器外，还有发展更早的电动机—直流发电机组，即旋转变流机组。和旋转变流机组相对应，静止变流器的称呼从水银整流器开始并沿用至今； 1947年美国贝尔实验室发明晶体管（transistor)，引发了电子技术的一场革命； 最先用于电力领域的半导体器件是硅二极管。 2.晶闸管时代（自1957年美国通用电气公司首次研制成功晶闸管开始） 晶闸管 SCR (Silicon Controlled Rectifier)可通过门极控制开通，但通过门极不能控制关断，属于半控型器件。 晶闸管因其电气性能和控制性能优越，很快取代了水银整流器和旋转变流机组，应用范围也迅速扩大。电化学工业、铁道电气机车、钢铁工业（轧钢用电气传动、感应加热等）、电力工业（直流输电、无功补偿等）的迅速发展也有力地推动了晶闸管的进步。 晶闸管时代（1957年开始）2 对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制（PAM）方式。 晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现 。 目前由于其能承受的电压、电流容量仍是目前器件中最高的，而且工作可靠，所以许多大容量场合仍大量使用SCR。 GTO 可关断晶闸管 以 BJT(GTR) 电力双极型晶体管 为代表： Power-MOSFET 电力场效应管 这些器件可以通过门极（或栅极、基极）控制开通和关断。 同时，这些器件可以达到的开关频率均较高。 这些器件大大推进了电力电子技术的发展。 和SCR电路的相位控制方式相对应，全控型器件电路常使用脉冲宽度调制（PWM ）方式进行控制。 4.复合型器件时代（80年代后期） 以绝缘栅极双极型晶体管（Insulated －Gate Bipolar Transistor－IGBT）为代表,IGBT是电力场效应管（MOSFET）和双极结型晶体管（ Bipolar Junction Transistor－BJT）的复合。 IGBT集MOSFET的驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点于一身，性能十分优越，使之成为现代电力电子技术的主导器件。 4.复合型器件时代（80年代后期） 与IGBT相对应，MOS控制晶闸管（MOS Controlled Transistor－MCT）和集成门极换流晶闸管（Intelligent Gate-Commutated Thyristor－IGCT）等都是MOSFET和GTO的复合，它们也综合了MOSFET和GTO两种器件的优点。 1.2 电力电子技术的发展史-复合型器件（80年代后期）2 功率模块（Power Module）：为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小，常常把若干个电力电子器件以及必要的辅助元件做成模块的形式，这给应用带来了很大的方便。 功率集成电路（Power Integrated Circuit－PIC）：把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC）。目前其功率都还较小，但代表了电力电子技术发展的一个重要方向 。 智能功率模块（Intelligent Power Module－IPM）：则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 1.2 电力电子技术的发展史-复合型器件（80年代后期）3 高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit－HVIC）：一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power Integrated Circuit－SPIC）：一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 功率器件及其集成 电力电子集成技术 概念的提出 对电力电子技术而言，集成化设计的理念很早就产生了 上世纪50年代就产生了集成化的容性元件和感性元件的设计方法 上世纪80年代末商用化的IPM模块诞生 电力电子集成技术 21世纪电力电子技术的前景 电力电子器件发展的目标是： 大容量、高频率、易驱动、低损耗、小体积（高芯片利用率）、模块化。 新的控制技术的使用，以减小电力电子器件的开关损耗，如软开关技术：通过谐振电路使得器件在零电压（ZVS）或零电流（ZCS）的状态下进行开关。 电力电子应用系统向着高效、节能、小型化和智能化的方向发展。 四、 电力电子技术的应用 1.3 电力电子技术的应用-一般工业1 1）一般工业 直流电动机（DC Electromotor）有良好的调速性能，给其供电的可控整流电源（Co