[工学]第三章结型光电器件.pptVIP

第三章 结型光电器件 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件。 为了便于理解在后面将要引入的光伏探测器的等效电路，有必要先讨论一下光伏探测器的光电转换规律。 色标传感器外形（2） 色标传感器在流水线上检测产品的颜色 产品包装色彩检测、分选 2.与普通二极管相比 共同点：一个PN结，单向导电性 不同点： （1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅 （2）表面有防反射的SiO2保护层 （3）外加反偏置 3.与光电池相比 共同点：均为PN结，利用光伏效应，SiO2保护膜 不同点： （1）结面积比光电池的小，频率特性好; （2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小; （3）可在零偏压下工作，常在反偏置下工作。 光敏二极管阵列 光敏二极管外形 包含1024个InGaAs元件的线性光电二极管阵列，可用于分光镜。 在N+侧开窗，引出一个电极作“集电极c”，中间的P型层引出“基极b”，也可以不引出来，在N型硅片的衬底上引出一个 “发射极e”。 （二）.硅光电三极管 硅光电三极管具有电流放大作用，它的集电极电流受基极的光强控制。 以3DU型为例讨论硅光电三极管的结构和工作原理 硅光电三极管的外型有光窗,管脚有三根引线或二根引线,管型分为PNP型和NPN型。 NPN型称3DU型,PNP型称3CU型。 1.硅光电三极管的结构和工作原理 以N型硅片作衬底，扩散硼而形成P型，再扩散磷而形成重掺杂N+层。 N P N+ 这就构成一个光电三极管 注：需保证集电结反偏， 发射结正偏。 UC Ip 集电结为反偏置 发射结为正偏置 Ic＝βIp＝βE·SE 因此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体 管在上偏流电路中接一个光电二极管的作用是完全 相同的。 发射结 集电结 b e c N N P 基极 发射极 集电极 光敏三极管外形 为提高光电三极管的增益，减小体积，常将光电二极管或光电三极管及三极管制作到一个硅片上构成集成光电器件。 四、 结型光电器件的放大电路 结型光电器件一般用三极管或集成运 算放大器对输出信号进行放大和转换。 1.结型光电器件与放大三极管的连接 硅三极管和锗三极管导通时射极-基极电压大小 不同，有三种不同的变换电路。 锗三极管放大光电流 硅三极管放大光电流 注意:三种电路都以三极管发射结的正向电阻作 为硅光电池的负载，因此硅光电池几乎是工作在短路 状态，从而获得线性工作特性的。 UO -10V 1k 3AX4 2CR 2CR UO +10V 1k 3DG6 UO +15V 1k 3DG7 2CR 2AP7 1k 2.结型光电器件与运算放大器的连接 集成运算放大器因结构简单、使用方便而广泛应用于光电变换器件中。光电二极管与运算放大电路的连接方式有三种方式 电流放大型IC变换电路： 运算放大器两输入端间的输入阻抗Zin是硅光电二极管的负载电阻； 由于电流放大器输入阻抗低,响应速度快,噪声低,信噪比高,广泛用于弱光信号的变换中 UO - + A Rf Cf 当运放的放大倍数和反馈电阻较大时,可以认为硅光电二极管是处于短路工作状态,能输出理想的短路电流,这时运算放大器输出为: (2)电压放大型IC变换电路 RL R2 R1 UO - + A 硅光电二极管与负载电阻RL并联且硅光电二极管的正端接在运算放大器的正端；放大器的漏电流比光电流小得多,具有很高的输入阻抗. 当负载电阻大于1M时,运行于硅光电池下的光电二极管处于开路状态,可以得到与开路电压成正比的输出信号: (3) 阻抗变换型 反向偏置的硅光电二极管具有恒流源性质,内阻很大,饱和光电流与输入光照度成正比,在高负载电阻时可得到高的输出信号。 注意:用场效应管代替双极性晶体管作前置极,其偏置电流较小,适合于光功率很小的场合. 三种电路各有优缺点，但都适用于光功率很小的场合。 UO - + A3 R Rf Vs RL 但是,如果把这种反偏的二极管直接接到负载上,会因为负载失配而削弱信号的幅度。 因此,需要有阻抗变换器将阻抗的电流源变换为低阻抗的电压源,然后再于负载连接。 利用光刻技术，将一个圆形或方形的光敏面窗口分隔成几个有一定规律的的区域(但背面仍为整片)，每一个区域相当于一个光电二极管。理想情况下，每个光电二极管应有完全相同的性能参数。实际上它们的转换效率往往不一致，使用时必须精心挑选。 五、特殊结型光电器件 1.象限探测器 象限探测器实质是一个面积很大的结型光