Sn掺杂MoO3的制备、表征及气敏性能.DOCVIP

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Sn掺杂MoO3的制备、表征及气敏性能.DOC

Sn掺杂Mo03的制备、表征及气敏性能 高海燕王竞一赵永男陈昆峰薛冬峰 天津工业大学材料科学与工程学院天津市先进纤维 与储能技术重点实验室南幵大学先进能源材料化学 教育部重点实验室中国科学院长春应用化学研宄所 稀土资源利用国家重点实验室 以仲钼酸铵和四氯化锡为原料,采用水热法制备了不同Sn掺杂比例的Mo03; 用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和Brunauer-Emmett Teller (BET)测试等手段对材料进行了物相、形貌结构和孔径表征;测试了其对乙醇、 二氯甲烷、甲醇、甲醛、甲酸、四氯化碳、氨气和丙酮等气体的传感性能.结果 表明,Sn掺杂未改变Mo03的结构;290°C为气体传感测试的最佳测试温度;掺杂后 的103对乙醇气体的灵敏度和响应时间均优于纯相Mo03, Sn掺杂摩尔比为5%吋 效果最好,500 mg/n?测试条件下对乙醇的灵敏度为19.64,响应时间为1. 1 s. 关键词: 三氧化钼;锡掺杂;气敏特性; 高海燕,女,傅士,讲师,主要从事储能材料与器件研 究.E -mail:gaohaiyan@tjpu.edu. 基金:天津工业大学创新创业训练计划项目 Preparation, Characterization and Gas Sensing Properties of Sn Doped Mo03 GAO Haiyan WANG Jingyi ZHAO Yongnan CHEN Kunfeng XUE Dongfeng Tianjin Key Laboratory of Advanced Fibers and Energy Storage, School of Material Science and Engineering, Tianjin Polytechnic University; State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences; Abstract: Sn-doped Mo03 were synthesized by a hydrothermal method, using ammonium paramolybdate and tin tetrachloride as raw materials. The structure, morphology and pore texture of the samples were characterized by means of X-ray diffraction (XRD) , scanning electron microscope (SEM) and Brunauer-Emmett~Te11er (BET) .The gas sensing properties of ethanol, dichloromethane, methanol, formaldehyde, formic acid, carbon tetrachloride,ammonia and acetone were tested. The results show that Sn doping does not affect the structure of Mo03 and the best heating temperature is 290 °C. After Sn doping, the sensitivity is better than the pure Mo0:b and the response time is shorter. Mo03 doped with 5% (molar ratio) Sn shows the best gas sensing properties, with a gas sensitivity of 19. 64 and a rapid response time of 1. 1 s in 500 mg/m3 of ethanol. Keyword: Mo03; Sn doping; Gas sensing property; 随着牛.活水平的不断提高,人们越来越意识到环境安全的重要性,因此对有毒 右害气体的检测变得越来越重要.金属氧化物半导体材料对监测环境中的奋毒奋 害性气体(如1LS、S02、C0、氨气、天然气、乙醇和甲醛等)有重要作用,因此, 其作为一类新型的气敏材料备受关注.Mo 0J乍为一种典型的金属氧化物半导体, 因具有独特的电学、光学结构特性和缺陷性质,而在气敏、光致变色、催化和电 化学等领域被广泛应用. M

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