CH3二极管及其基本电路演示课件文.pptVIP

3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （1）理想模型---理想二极管 V -I 特性 代表符号 正向偏置时的 电路模型:短路 反向偏置时的 电路模型：开路 （2）恒压降模型（iD≥1mA时） 0.7V 硅管 0.2V 锗管 正偏时： 反偏时: 放大电路多用此模型 （3）折线模型 （硅二极管） 折线段： 正偏时： 反偏时: 二级管电路的计算方法： 1) 将二极管断开，求正向开路电压VDO; 2) 如果VDOVth, 则D导通，可用理想模型、恒压模型或折线模型代替二极管； 3) 如果VDOVth , D截止, iD = 0 2．模型分析法应用举例 例1 二极管整流电路 （1）vs和vo的波形 整流---将交流信号变换为直流信号 半波整流---脉动直流 vs0,导通，vD=0 , vs0 , D截止，iD=0 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 电路中为理想二极管，求：VAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳-V阴 0，二极管导通 采用理想模型，二极管可看作短路，VAB =－ 6V 例2： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A VAB + – 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V VD1 = 6V，VD2 =12V ∵ VD2 VD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 使用理想模型，二极管可看作短路，VAB = 0 V 例2: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 B D1 6V 12V 3k? A D2 VAB + – 电路中为理想二极管，求：VAB 如何判断二极管在电路中是导通的还是截止的 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 若电路出现两个或两个以上二极管，应先判断承受正向电压较大的管子优先导通，再按照上述方法判断其余的管子是否导通。 根据二极管两端加的是正电压还是反电压判定二极管是否导通，若为正电压且大于阈值电压，则管子导通，否则截止； 3 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 3.1.3 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 绝对零度时，本征半导体的价电子被共价键束缚，无载流子，不导电，相当于绝缘体。 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 空穴 温度愈高，产生的电子-空穴愈多。 自由电子 本征激发----由于温度升高，产生电子-空穴对的现象 复合---自由电子会被空穴吸引，填补回去而成对消失。 温度一定时，电子空穴的数量是常数 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子逆着电场运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ，空穴沿着电场移动?空穴电流 (3)电子和空穴都可以产生电流：通称为载流子 注意： 温度愈高， 载流子的数目愈多, 导电性能也就愈好。所以，温度对本征半导体器件性能影响很大。 3.1.4 杂质半导体 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 1.N型半导体 N型半导体表示为： 掺入三价元素 Si