[材料科学]电子材料及其制备0416.ppt

继续增加InAs沉积量：部分3D岛长大， 当岛内应力超过位错形成能:岛边缘产生位错 释放应变能，变成熟化岛(ripened island) 受动力学生长因素控制，熟化岛有一定尺寸和密度 经典热力学平衡理论： 异质外延成核机制，由衬底和外延层的表面能、界面能决定，未考虑晶格失配带来的应变能。 Daruka和Barabasi，利用热力学平衡理论，深入研究外延生长模式随晶格失配度ε大小、沉积量H等的变化关系，得到外延生长平衡相图。 2.2 薄膜的成核长大动力学 2.2.1 成核长大的物理过程 薄膜成核长大过程相当复杂，它包括一系列热力学和动力学过程，其中的具体过程有： 原子沉积到衬底，从衬底再蒸发， 在衬底、晶核上表面扩散和界面处互扩散， 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 成核(包括形成各种不同大小、数量不断增多 的亚稳定晶核、临界晶核和稳定晶核)， 长大等过程。 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 这些过程都是随机过程，需要利用热力学、统计物理和动力学得到描述这些过程的解析公式。 当uABuAA，A原子在B衬底上铺满一层后，在最近邻近似下，第二层A原子的沉积和同质外延相同，只要A原子容易迁移，A薄膜将一层一层地生长。 原则上讲，uABuAA，A原子尺寸和B原子尺寸相同，不发生单层生长后岛状生长模式。 2.1.5 薄膜生长的三种模式 如A原子大于B原子，外延的A原子层中出现压应力，反之则外延的A原子层中出现张应力。 引起的应变能随膜厚的增大而增大，应变能足够大时，为弛豫此应变能会产生失配位错。 如A、B原子尺寸差别太大，带有失配位错的外延结构也不能保持，此时在单层或几层生长后将出现岛状生长。 二维生长仍需克服一定势垒，因为A原子的一部分断键的能量相当于二维晶核的周界能。 因此： 自由能的变化=获得的相变能+新形成的周界能。 自由能变化达到峰值：得到二维成核功， 二维晶核的临界尺寸。 二维成核时如有应变能，临界尺寸和成核功将增大。 根据宏观成核理论： B衬底上的A薄膜生长以球冠的形状开始成核， 核的高度和底面半径之比由A元素对B衬底的浸润性决定： θ越小，球冠越平坦。 A B α αˊ α θ 衬底上的球冠状晶核 2.1.5 薄膜生长的三种模式 球冠的表面张力和界面张力平衡时有： αcosθ+α ? =αˊ, αˊ≧α+α?时θ=0， 球冠核的高度为原子面的厚度，即球冠核转化为单原子层核。 αˊα+α ?时θ≠0，球冠核有一定的高度。 A B α αˊ α θ 衬底上的球冠状晶核 清洁晶体衬底上，薄膜生长的模式可分成三种： 1. 二维(层状)生长(Frank-van der Merwe)模式 浸润角为零，B衬底上形成许多二维A晶核，晶核长大后联 接成单原子层，铺满衬底后继续上述过程，一层层生长。 (a)二维生长 (b)单层二维生长 后三维生长 (c)三维生长 薄膜生长的三种模式 2. 三维(岛状)生长(Volmer-Weber)模式 浸润角不为零，B衬底上形成许多三维的岛状A晶核，岛状A晶核长大后形成表面粗糙的多晶膜。 (a)二维生长 (b)单层二维生长 后三维生长 (c)三维生长 薄膜生长的三种模式 3. 单层二维生长后三维(层加岛)生长模式 (Stranski-Krastanov) 处于前两者之间，先形成单层膜后再岛状生长。 这种模式一般发生在二维生长后膜内出现应力场合。 (a)二维生长 (b)单层二维生长 后三维生长 (c)三维生长 薄膜生长的三种模式 微观成核理论：二维生长一般发生在uAB≧uAA，即Δα≦0的场合。 Δα=α+α-αˊ 衬底B和A薄膜晶格匹配良好，薄膜一般是单晶且和衬底有确定取向关系。 二维生长，简单立方晶体， 正方核厚度为晶格常数a， 二维核临界尺寸： Lc(h=a)=auAA/(Δμ+uAB-uAA)。 以原子数表示： 二维核的临界尺寸 mc=uAA/(Δμ+uAB-uAA) 成核功 dφc=uAA2/(Δμ+uAB-uAA) uABuAA时，在一定的欠饱和(Δμ0)条件下也可以发生二维生长。 同质薄膜生长时, uAB=uAA，浸润角θ=0的条件(αˊ=α+α?)刚能满足，此时的二维生长不能在欠饱和条件下发生。 三维生长：uABuAA，即Δα0的场合。 和二维成核相比，AA键增多，AB键减少。 三维生长一般在衬底晶格和薄膜晶格很不匹配时发生，最后薄膜一般是多晶，和衬底无取向关系。 半导体应变自组装量子点采用这种模式生长而得到。 单层二维生长后三维