[工学]传感器原理及应用第3版 王华翔第8章 固态传感器.pptVIP

* 第8章 固态传感器 固态传感器主要是指半导体传感器。利用半导体材料的 各种物理效应（磁敏、光敏、湿敏），将被测物理量的 变化转换为便于处理的电信号。 优点： （1）基于物性变化测量，没有运动部件，体积小，简单 （2）动态特性好，输出为电量。 （3）半导体材料便于集成，实现多传感器一体化，集成化 （4）功耗低。 缺点： （1）半导体材料的物性变化为非线性。 （2）易受温度影响。 §8-1 磁敏传感器 磁敏传感器是将磁学物理量转换为电信号的传感器。 工作原理是半导体中的载流子在磁场中运动时受洛仑兹 力的作用而发生偏转的原理。 磁敏传感器的主要形式： （1）霍尔元件 （2）磁敏二极管或磁敏三极管 一、霍尔元件 （一）霍尔效应 霍尔现象是美国物理学家 霍尔于1879年发现的。 在与磁场垂直的半导体薄片上通以电流I，假设载流子为 电子（N型半导体），它沿与电流I相反方向运动。由于 洛仑兹力fL的作用，电子将向一侧偏转，并在该侧形成电 子的积累。而另一侧形成正电荷积累，于是元件的横向 形成电场。该电场阻止电子继续向侧面偏移。当电子所受 到的电场力fE与洛仑兹力fL相等时，电子的积累达到动态 平衡。此时，两端之间建立的电场称为霍尔电场，电势 称为霍尔电势。 霍尔电势的定量分析 电子以平均速度V运动，并指定正 电荷所受洛仑兹力方向为正，电子在磁场中所受洛仑兹力为： 两侧累积电荷形成的电场与规定的正方向相反： 当两个力达到动态平衡时， 设电子浓度为n，则电流密度为： 代入 霍尔系数 （二）霍尔系数RH和灵敏度 由电阻率公式 载流子迁移率，即单位电场作用下载流子运动速度。 霍尔元件的选择：要求电阻率和载流子速度均大。 绝缘体：电阻率很大，但载流子和迁移速度极小。 金属： 载流子浓度很大，但电阻率很低。 半导体既有较大的电阻率，同时又有可以移动的多数载流子 因而具有较大的霍尔系数。 霍尔元件的灵敏度 霍尔电势UH的大小正比于控制电流I和磁感应强度B，即 灵敏度为： 结论： （1）元件厚度d对灵敏度影响很大，厚度越薄，灵敏度 越高。厚度过薄，会导致电阻增大。 （2）半导体既有较大的电阻率，同时又有较高的载流子 迁移速度，因而具有较大的霍尔系数。 （三）霍尔元件的材料和符号 N型锗半导体、锑化铟（InSb)、砷化铟（InAs）半导体。 （四）电路基本形式 E电源，R调整电阻。负载RL 霍尔元件串联使用 （五）电磁特性 UH-I特性 当磁场恒定时，在一定温度下控制电流I与霍尔电势UH的 关系。 UH-I特性 当控制电流恒定时，在一定温度下磁场强度与霍尔电势UH的关系。 （六）霍尔元件误差分析及补偿 1. 元件几何尺寸 2. 不等位电势U0及其补偿 制作霍尔元件时，霍尔电极不在同一等位面上。当控制 电流流过时，即使磁感应强度为零，在霍尔电极上仍有 电势存在。 不等位电势的补偿电路 3. 感应电势及其补偿 霍尔元件在交变磁场中工作时，如果霍尔电势的引线布局 不合理，在回路中会产生附加感应电势。 4. 温度误差及其补偿 半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度等都随温度而 变化。霍尔元件的参数如内阻、霍尔电势等均随温度而改变。 补偿方法：在控制电流极并联适当的补偿电阻r0，当温度升 高时，自动调整流过霍尔元件的电流，起到补偿作用。 补偿电路r0确定方法： 当温度由T0变为T时，使输出UHT=UH0 为保证UHT=UH0 二、磁敏二极管和磁敏三极管 磁敏二极管工作原理 基区载流子密度减小，电流减小，电阻增大。 基区载流子密度增大，电流增加，电阻减小。 磁敏三极管工作原理 基极电流大于集电极电流 集电极电流明显下降 集电极电流明显增大 磁敏管的应用 漏磁探伤仪 §8-2 光敏传感器 一、光电效应 在光线作用下，物体内部的电子 逸出物体表面，向外发射的现象 称为外光电效应。 典型器件：光电管 单个光子的能量： 单个光子的能量被单个电子吸收，如光子能量大于该材料 的逸出功A0，电子就会从物体表面逸出，产生光电子。 （一）外光电效应 外光电效应特点 （1）光电子能否产生，取决于光子能量是否大于材料逸出 功。光线频率大于红限频率，有光电子产生。 光强≠光子能量大。 （2）入射光频率如大于红限频率，光电子数量与光强成正比。 （3）光电子逸出时有初始动能。光电管即使没有阳极电压， 也会产生光电流。 （二）内光电效应 受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电动势的效应 称为内光电效应。 （1）光电导效应 在光线作用下，电子吸收 光子能量从键合状态（价带）过渡到自由状态（导带），从而引起材料电阻率变化。 （2）光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象称 为光生伏特效应。硅光电池 二、光敏电阻 光电导效应 在光线作用