[理学]半导体物理学第1章.ppt

半导体物理 安徽建筑工业学院 黄凯 khuang@教材及参考书目 《半导体物理学》刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著，电子工业出版社 《半导体器件物理与工艺》(美)A.S.格罗夫著，齐建译 《半导体物理基础》黄昆、韩汝琦著 《半导体器件 物理与工艺》(美)施敏(S.M.Sze)著，王阳元等译 《半导体物理与器件——基本原理》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著 西安电子科技大学半导体物理学精品课程 :8000/ 半导体物理学 课程考核办法 : 本课采用闭卷笔试的考核办法。总评成绩构成比例为：平时成绩30%； 期末考试70% 按不同的标准，有不同的分类方式。 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体 表1.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 此外，半导体还具有一些重要特性，主要包括： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变 本课程的内容安排 以元素半导体硅(Si)和锗(Ge)为对象： 介绍了半导体的晶体结构和缺陷，定义了晶向和晶面 讨论了半导体中的电子状态与能带结构，介绍了杂质半导体及其杂质能级 在对半导体中载流子统计的基础上分析了影响因素，讨论了非平衡载流子的产生与复合 对半导体中载流子的漂移运动和半导体的导电性进行了讨论，介绍了载流子的扩散运动，建立了连续性方程 简要介绍了半导体表面的相关知识 内容简介 半导体的晶格结构和电子状态 杂质和缺陷能级 载流子的统计分布 载流子的散射及电导 非平衡载流子 pn结 半导体表面及MIS结构 第一章 半导体中的电子状态 本章重点 半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律 领会“结构决定性质” 处理方法 单电子近似——能带论 一、晶体的基本知识 长期以来将固体分为：晶体和非晶体。 晶体的基本特点： 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子（或 离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是按一定的方式 有规则的排列而成——长程有序。（如Si，Ge，GaAs） 晶体又可分为：单晶和多晶。 单晶：指整个晶体主要由原子(或离子)的一种规则排列方式 所贯穿。常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓 (GaAs)都是单晶。 多晶：是由大量的微小单晶体（晶粒）随机堆积成的整块材 料，如各种金属材料和电子陶瓷材料。 非晶（体）的基本特点： 无规则的外形和固定的熔点，内部结构也不存在长程有序，但在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列——短程有序 （如非晶硅：a-Si） 图1.1 非晶、多晶和单晶示意图 二、晶体结构 单胞 对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的最小单元 晶体的晶向与晶面 晶体是由晶胞周期性重复排列构成的，整个晶体就像网格，称为晶格，组成晶体的原子(或离子)的重心位置称为格点，格点的总体称为点阵。 对半导体Si、Ge和GaAs等具有 金刚石或闪锌矿结构的立方晶 系，通常取某个格点为原点， 再取立方晶胞的三个互相垂直 的边OA,OB,OC为三个坐标轴， 称为晶轴，见图1.5。 通过晶格中任意两格点可以作一条直线，而且通过其它格点还可以作出很多条与它彼此平行的直线，而晶格中的所有格点全部位于这一系列相互平行的直线系上，这些直线系称为晶列。 晶列的取向称为晶向。 为表示晶向，从一个格点O沿某个晶向到另一格点P作位移矢量R，如图1.7，则 R=l1a+l2b+l3c 若l1:l2:l3不是互质的，通过 l1:l2:l3 ＝m:n:p化为互质整数， mnp就称为晶列指数，写成 [mnp]，用来表示某个晶向。 晶列指数就是某个晶向矢量在三晶轴上投影的互质整数。 若mnp中有负数，负号写在该指数的上方， [mnp]和 表示正好相反的晶向。 同类晶向记为mnp 。 例： 100代