CDUESTC—WDZ-LIN（集成电路反向设计）2实验一 基本模拟器件的提取CDUESTC—WDZ-LIN.pptVIP

实验一 工程项目工作区划分 模拟器件提取（一）;三、实验步骤：;2.打开工程项目 点击 file→选择 打开芯片分析工程 3.创建工作区 点击 （菜单栏） 工程→选择创建工作区 (或者 ctrl +n 创建工作区）;在弹出如下对话框填写名称：adc_270440_a位置：选择整个芯片点击确定;染色层，多晶层识别;4.划分工作区 点击工具栏 （或者按F2) 然后用框定的方法将ADC划分为四个工作区 按 S键 可以调整工作的范围 记下个工作区的坐标 A1(4272,11136)-(17296,14288) A2(17294,11760)-(21696,17480) D1(3176,2552)-(21832,10984) D2(2676,11268)-(4200,16584) ;5.建立模拟工作区a2 点击 （菜单栏） 工程→选择创建工作区 输入名称：adc0140_a2 位置：输入坐标 (17294,11760)-(21696,17480) 点击确定 ;模拟器件的类型和参数 ;6.电阻提取（重点类型与长宽比）;在模拟工作区中大多数的电阻都是PLUS电阻 ;多晶电阻;MOS电??;电阻匹配;（1）点击快捷工具栏 添加电阻的符号 框定电阻 在弹出的对话框中输入 电阻类型名称 此处的为p型注入电阻 故取名为 RPPLUS ;（2）测量电阻的W和L 按K 键 是标尺功能键 软件默认先测量的为宽度W，后测量的为长度L 选中电阻，添加自动添加W L 按shift+v自动添加。 （3）用复制的方法提取相同大小同类型的电阻 （4）同样的方法提取工作区中其他的电阻;7.电容提取 （重点 类型和面积）双POLY电容多晶1作为下极板多晶2作为上极板 电容做在场氧化层上，电容的上下极通过场氧化层与其他器件及衬底隔开。 ;;（2）测量电容的W和L 按K 键 是标尺功能键 软件默认先测量的为宽度W，后测量的为长度L 选中电容，添加自动添加W L 按shift+v自动添加。 （3）用复制的方法提取相同大小同类型的电容 （4）同样的方法提取工作区中其他的电容;8.二极管;二极管;剩下的时间，将A2工作区没有提取完的电阻、电容、二极管提取完。