集成电路工艺原理-第二章-氧化.pptVIP

概述 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 2.1 二氧化硅的性质、用途 在半导体材料硅的所有优点当中，SiO2的极易生成是最大的有点之一。当硅表面暴露在氧气当中时，就会形成SiO2。(有良好的化学稳定性和电绝缘性,能对某些杂质起到掩蔽作用) 结构、性质 采用热氧化制备的 SiO2膜的原子结构如图所示。它是由一个硅原子被4个氧样原子包围着的四面体单元组成的,是一种无定型的玻璃状结构.无固定熔点,在1700℃以上. 结构、性质 密度 (2.2g/cm3) 折射率 (波长为0.55μm，折射率为1.46) 电阻率 （高达1016Ω·cm以上） 介电强度 （106-107V/cm) 介电常数 (相对介电常数为3.9) 腐蚀 (HF酸） 尽管硅是一种半导体，但SiO2是一种绝缘材料。是硅器件制造中得到广泛应用的一种膜层，因为SiO2既可以用来处理硅表面，又可以作为掺杂的阻挡层、表面绝缘层及作为器件中的绝缘部分。 2.1.1表面钝化 无