《电力电子应用技术》第三版莫正康第4章.ppt

3．复合缓冲电路 　　实际应用中，总是将关断缓冲电路与开通缓冲电路结合在一起，称为复合缓冲电路。 三、缓冲电路的应用 　　IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率高达20～50kHz，因此很小的电路电感就可能引起很大的Ldi／dt，从而产生过电压危及IGBT的安全。 　　GTO的缓冲电路除用来抑制换相过电压、限制du／dt、动态均压之外，还关系到GTO的可靠开通和关断。 　　该电路的特点是：①三只电容之间连线短，所以寄生电感小；②三只电容都参与工作，利用率高；③电路损耗较小，约为RCD电路损耗的40％。 　　值得注意的是：若缓冲电路中的二极管选择不当，在二极管反向恢复期会产生很高的尖峰电压，故必须选择快恢复二极管。 第六节　其它新型电力电子器件 一、静电感应晶体管SIT 　　静电感应晶体管简称SIT，是一种靠场效应引起元件中导电沟道形成或消失来实现开关功能的器件。 　　电源Ucc1经电阻R3、二极管VD3和电容C加速网络向V2提供基极电流，使V2导通并由此将功率MOSFET的栅极接地，迫使MOS－FET关断。 　　（3）集成式驱动电路 目前，用于驱动功率MOSFET的专用集成电路较常用的是美国国际整流公司的IR2110、IR2115、IR2130芯片。 　　IR2110是14引脚双列直插式大规模集成芯片。 　　IR2110的保护功能包括输入逻辑保护及输出电源欠电压保护。输入逻辑保护是当功率电路发生过载、短路等故障时，检测保护电路的输出信号接入IR2110保护端（SD），高电平有效，芯片内部逻辑电路将上下通道的输入控制信号进行封锁。欠电压保护采取上下通道分别检测。 　　IR2110通常用于驱动N沟道的功率MOSFET，其应用的典型连接如： 六、功率MOSFET在使用中的静电保护措施 　　静电击穿有两种形式：一是电压型；二是功率型。 防止静电击穿应注意： 　　1）器件应存放在抗静电包装袋、导电材料袋或金属容器中，不能存放在塑料袋中。 　　2）取用功率MOSFET时，工作人员必须通过腕带良好接地，且应拿在管壳部分而不是引线部分。 　　3）接入电路时，工作白应接地，焊接的烙铁也必须良好接地或断电焊接。 　　4）测试器件时，测量仪器和工作台都要良好接地。器件三个电极没有全部接入测试仪器前，不得施加电压。改换测试范围时，电压和电流要先恢复到零。 第四节　绝缘栅双极晶体管 　　绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是20世纪80年代出现的新型复合器件。 一、IGBT工作原理 　　IGBT是在功率MOSFET的基础上增加了一个P+层发射极，形成PN结J1，并由此引出集电极C，栅极G和发射极E。 简化等效电路 　　IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。栅极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。 二、IGBT主要特性 1．静态特性 　　IGBT的静态特性包括转移特性和输出特性。 　　IGBT的转移特性是描述集电极电流IC与栅射电压UGE之间关系的曲线。 2．动态特性 　　IGBT的动态特性也称开关特性，包括开通和关断两个部分。 　　IGBT的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态的过程。 三、IGBT的锁定效应 　　IGBT内还存在一个寄生的NPN晶体管，它与作为主开关的PNP晶体管一起组成一个寄生的晶闸管。 　　由于IC过大而产生的锁定效应称为静态锁定。 四、IGBT的主要参数 1．集射极击穿电压BUCES 2．开启电压UGE（th） 3．通态压降UCE（on） 4．最大栅射极电压UGES 5．集电极连续电流IC和峰值 　 电流ICM 五、IGBT的安全工作区 　　IGBT具有较宽的安全工作区。因IGBT常用于开关工作状态，开通时IGBT处于正向偏置；而关断时IGBT处于反向偏置，故其安全工作区分为正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区。 六、IGBT的栅极驱动电路 1．IGBT对驱动电路的要求 　　1）提供适当的正反向输出电压，使IGBT能可靠地开通和关断。 　　2）IGBT的开关时间应综合考虑。 　　3）IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。 　　4）IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响。RG的选择原则是应在开关损耗不太大的情况下，选略大的RG 。RG的具体数值还与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。 　　5）驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT的保护功能。 IGBT在使用中除了采取静电防护措施外，还必须注意以下事项： 1）IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配。 2）当G－E