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第四章半导体的导电性2
平衡时,两个最近邻原子间势能为: 原子偏离平衡位置时,相邻两原子间距为: 此时势能变为 把势能在平衡位置 附近作泰勒展开: 其中 取前三项有: 回复力为: 回复力常数: 二、一维单原子链的振动 简谐近似下原子的运动方程 : 设方程组的解是一振幅为A, 频率为?的简谐振动: qna 表示第n个原子振动的初位相。若第n’和n个原子的初位相满足: 代表n和n’的两个原子的振动完全同步。 显然q相当于波矢: 代入运动方程解得: 实际上代表一种频率为?的平面波,称为格波。 波速(相速): 可以看出,格波的频率是波长的函数。上式代表一维布喇菲格子中的色散关系(波长与频率的关系) ?---q的关系为周期函数, 周期为2π/a。 若两个波矢q和q’满足: 则q和q’对应的振动状态完全相同: (s为整数) 为了保证振动的单值性,即一个q对应一个un, 把q限制在下列范围内: 一维单原子链的色散关系(第一布里渊区) 格波:晶格中的所有原子以相同频率振动而形成的波,或某一个原子在平衡位置附近的振动是以波的形式在晶体中传播形成的波。 ? 晶格中原子的振动; ? 相邻原子间存在固定的位相。 q的正负号说明: 正的q对应在某方向前进的波,负的q对应于相反方向进行的波。 结论 ? 如果q -q′ =2?s/a (s为任意整数)这两种波矢对同一个原子所引起的振动完全相同。 ? 对应某一确定振动状态,可以有无限多个波矢q,它们之间都相差2?/a的整数倍。 ? 为了保证xn的单值性,把q值限制在(-?/a, ?/a), 其中a是该格子的晶胞常数,该范围正好在第一布里渊区。 说明格波是量子化的。 理论上可用玻恩-卡门边界条件: 设实际晶体的长度是: L=Na 则有: 要求 共有N个q值(振动模): 一维双原子链示意图 三、一维双原子链的晶格振动 2a 2n 2n+1 2n-1 2n-2 2n+2 其行波解为: 为了保证振动的单值性,即一个q对应一个u, 把q限制在下列范围内: 代入运动方程得到色散关系为: 一维双原子链的色散关系 声学波和光学波的振动示意图(a)声学支(b)光学支(?和o代表两种不同的原子) 声学波:相邻两原子的振动方向相同。 光学波:相邻两原子的振动方向相反。 说明一维复式格子的q只能取N个不同的值,等于晶体包含的原胞数。 每一个波矢对应两个振动的角频率,或者说有两支格波,对应于一个原胞内的两个原子的自由度总数。 晶格振动频率的总数为2N,等于晶体的自由度数目。 共有N个q值: 周期性边界条件: 如果一维双原子链有N个原胞,玻恩-卡门边界条件为: 对于N个原胞组成的三维晶体,设每个原胞中有n个原子,该晶体的晶格振动有以下三个一般结论: (1) 格波共有3n支,其中3支声频支,其余支 3(n-1)为光频支; (2) 每支格波有N个振动模; (3) 共有3nN个振动模. 四、三维晶格振动的一般结论 原胞内含 原子 数 原胞数 自由度数 q 数 格波数[晶体振动模或(?,q)数] 声学波数(支) 光学波数(支) 单原子链 1 N N N N 1 双原子链 2 N 2N N 2N 1 1 三维结构 n N 3nN N 3nN 3 3(n-1) 思考题:对于二维原子,每个原胞含有两个原子,请完成 上表。 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 得到电子迁移率为: 同理,空穴迁移率为: (4-36) (4-35) 迁移率与平均自由时间成正比,与有效质量成反比。 根据迁移率的定义: * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 本征半导体: n型半导体: p型半导体: 将式迁移率的式子代入电导率描述式,得到同时含有两种载流子的混合型半导体的电导率: (4-37) (4-38) (4-39) * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设硅的等能面分布及外加电场方向如图所示。电子有效质量分别为mt和ml。不同极值的能谷中的电子,沿x,y,z方向的迁移率是不同。 对等能面为旋转椭球面的多极值半导体,沿晶体的不同方向有效质量不同,所以迁移率与有效质量的关系较为复杂。 下面以硅为例说明。 1、在一个均匀的n型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。在样品上施加一个50V/cm的电场,在电场力的作用下这些少数载流子在100μs的时间内移动了1cm,求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。(kT=0.026eV)(6分) 三、计算分析题 2、在300K时,某Si器件显示出如下的能带图: (1)平衡条件成立吗?试证明之。 (2)在何处附近半导体是简并的? (3)试推导流过x=x1处的电子的电流密度表达式? * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 推导电
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