[工学]第1章 半导体二极管及其基本应用电路.ppt

第1章 半导体二极管及其应用 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3半导体二极管电路的分析方法 1.4半导体二极管的基本应用 1.5 特殊二极管 习题 漂移和扩散 1、电子或空穴在电场的作用下定向移动称为漂移 如图（A）所示。 2、载流子由浓度高流向浓度低的的运动为扩散。图（B）所示 PN结形成 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx 1、材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、发光二极管的主要特性 1.4 二极管基本电路及其分析方法 　　二极管经常应用于以下场合： （1）整流。 （2）限幅。 （3）逻辑（二极管逻辑）。 可以参考1.6节的内容 　　二极管是一种非线性器件，需应用线性化模型分析法对其应用电路进行分析。 1.4.1二极管正向伏安特性的建模 1.理想模型 2.恒压降模型 这个模型如图XX_01所示，其基本思想是当二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V。不过这只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才是正确的。该模型提供了合理的近似，因此应用也较广 3.折线模型 为了较真实地描述二极管V-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下 4.小信号模型 二极管小信号模型如图XX_01所示。如果二极管在它的V-I特性的某一小范围工作，例如在静态工作点Q（即V-I特性上的一个点，此时vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。 参看图XX_01a，微变电阻rd可直接从V-I特性上求得。通过Q点作一条V-I特性的切线，并形成一直角三角形，从而得到DvD和DiD，则 rd=DvD/DiD rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。 取iD对vD的微分，可得微变电导 (当T=300K时) 由此可得 1.4.2模型分析法应用举例 1.二极管电路的静态工作情况分析 例1 设简单二极管基本电路如a所示，R=10kW，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 解：图a的电路中，虚线左边为线性部分，右边为非线性部分。符号“⊥”为参考电位点，或叫“地”，即电路的共同端点。电路中任一点的电位，都是对此共同端而言的，这在第1章中已介绍过。为了简单起见，图a所示的电路常采用图b所示的习惯画法，今后经常用到。现按题意，分别求解如下： （1）VDD=10V ① 使用理想模型得 VD=0V，ID=VDD/R=10V/10kW=1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， (2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA ③ 使用折线模型得 ID=0.049mA，VD=0.51V 例：下图中，VD为理想二极管，若 v,试画出 的图形。 2.二极管电路的限幅电路 若将上图中VD和R位置互换，输出电压波形又将怎样变化？ 例： 二极管双向限幅电路如图所示， 设ui＝10sinωt (V)，二极管为理想器件，试画出输出ui和uo的波形。的值。 3.二极管开关电路 一二极管开关电路如图LT_01所示。当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。设二极管是理想的。 1.4.3整流电路 一、单相半波整流电路 i D 电路如图：设变压器副边电压为 整流电路: 将交流电压变换为单向脉动电压的电路。整流元件是具有单向导电能力的二极管或晶闸管。 Tr D R + a b ~ u uo ?t ?t u uo io 根据二极管的单向导电性，在二极管加正向电压时导通，负载两端有输出电压；而在加反向电压时二极管截止，负载得不到输出电压。负载的电压波形及电流波形见右下曲线图。 二极管只在半个周期能够导电，而负载上得到的电压是单一方向，大小随