[工学]第3章 光电探测器件.ppt

光电二极管与普通二极管比较 （1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅； （2）表面有防反射的SiO2保护层； （3）外加负偏压。 共同点： 一个PN结，单向导电性。 不同点： （1）结面积比光电池的小，频率特性好； （2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小； （3）可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作。 光电二极管与光电池比较 共同点： 均为一个PN结，利用光生伏特效应， SiO2保护膜。 不同点： 5. 光电三极管 光电晶体管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。 所以光电晶体管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。 制作材料一般为半导体硅，管型为NPN型，国产器件称为3DU系列。 光电晶体管原理性结构图 光电晶体管的光电特性和伏安特性 光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。但它的光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。所以光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。 光电晶体管的伏安特性曲线 1） 极性结型器件都有确定的极性，如要加电压使用时，光电结必须加反向电压，即P端与外电源的低电位相接。 ?2） 使用时对入射光强范围的选择应视用途而定。用于开关电路或逻辑电路时光照可以强些。用于模拟量测量时，光照不宜过强。因为一般器件都有这样的性质：光照弱些，负载电阻小些，加反偏压使用时，光电线性好，反之则差。 3） 灵敏度主要决定于器件，但也与使用条件和方法有关，例如光源和接收器在光谱特性上是否匹配；入射光的方向与器件光敏面法线是否一致等。??? 6.光伏探测器使用要点 4）结型器件的响应速度都很快。它主要决定于负载电阻和结电容所构成的时间常数（τ＝RC）。负载电阻大，输出电压可以大，但τ会变大，响应变慢。相反，负载电阻小些，输出电压要减小，但τ会变小，响应速度变快。 5）灵敏度与频带宽度之积为一常数的结论，对结型光电器件也适用。 6）器件的各种参量差不多都与温度有关，但其中受温度影响最大的是暗电流。暗电流大的器件，容易受温度变化的影响，而使电路工作不稳定，同时噪声也大。 ?? 7）除了温度变化，电、磁场干扰可引起电路发生误动作外，背景光或光反馈也是引起电路误动作的重要因素，应设法消除。 精密光学仪器 光度色度测量 光电自动控制 光电开关 电视传真 图象识别等 7. 主要应用 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 中国半导体器件型号命名方法 例如：2BX107表示P型锗材料低频小功率二极管 实用光电探测器件参数介绍 R105侧窗式光电倍增管 直径28.5mm、九级倍增、侧窗型光电倍增管，硼硅玻壳、双碱光阴极、300~650nm谱响应，采用特殊设计的抗滞后结构，具有极好的输出稳定性。 特点： 适用技术领域: 分光光度计、色度计、尘埃计、热释光剂量仪、照度计、辐射量热计、扫描电镜、浊度计、尘埃粒子计数器、生化分析仪、X-射线照相机定时器、光密度计、光学特性辨认、复写设备。 一：光电倍增管 PMT 一般特性参数： 极限工作条件极限最大值： CR105端窗式光电倍增管 直径2英寸、锑铯光阴极、优质硼硅玻壳、10级倍增、端窗型光电倍增管，高灵敏度、高能量分辨率、高稳定性、低噪声，300~650nm谱响应。 特点： 适用技术领域: 工业测控、闪烁计数、能谱分析、核医学仪器及装置、微弱