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a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化
光 电子 激 光 第 卷 第 期 年 月
· 12 12 2001 12
JournalofOptoelectronics·Laser Vol.12 No.12 Dec.2001
文章编号:1005-0086(2001)12-1222-04
- 太阳电池陷光结构的新模型及其优化*
aSi
1
麦耀华 李洪波 薛俊明 杨恢东 任慧志 张德坤 王宗畔 耿新华
, , , , , , ,
南开大学光电子所 天津 五邑大学薄膜与纳米材料研究所 广东 江门
( , 300071;1. , 529020)
摘要 我们在分析陷光结构的表面形貌后 对陷光结构提出一个新的模型 并用它计算和分析折射率 形
: , , 、
貌和膜厚等参数对陷光效果的影响 通过计算 我们找出这些参数的最佳值 并依此对陷光结构进行优
。 , ,
化 以提高非晶硅太阳电池的效率和稳定性
, 。
关键词 非晶硅太阳电池 陷光结构 模拟 优化
: ; ; ;
中图分类号 + 文献标识码
: 914.4 1 :
TM A
-
ANewModelforLightTrappingSchemeofaSiSolarCellandItsOptimiza-
tion
1
- , - , - , - , - ,
MAI Yaohua LI Hongbo XUE Junming YANG Huidong REN Huizhi
- , - , -
ZHANG Dekun WANG Zongpan GENG Xinhua
( , , 300071, . . ;2.
InstituteofPhotoelectronics NankaiUniversity Tianjin P R China InstituteofThein
, , , 529020, )
FilmsandNanomaterialsWuyiUniversityJiangmen Guangdong China
:
AbstractInthispaper
webuiltanew modelforlighttrappingschemeofa
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