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第4章 实际晶体结构中的位错 4.1 实际晶体中位错的分类 4.2 实际晶体中位错的柏氏矢量 4.3 位错反应 4.4 面心立方晶体中的位错 4.5 体心立方晶体中的位错 4.6 密排六方晶体中的位错 图4.1是面心立方晶体密排面（111）的正常堆垛示意图。 在面心立方晶胞中，表示了A、B、C三个相邻的（111）面上的原子分布。（a）、（b）、（c）三图分别表示了A层、AB两层及ABC三层原子面的堆垛情况。如果把原子中心投影到（111）面，可见三层相邻面上的原子中心在（111）面上的投影位置并不相同，如图4.1（c）所示。底层为A层，▼表示B层原子中心的投影位置，▲表示C层原子中心的投影位置。如果把单位晶胞(Unit Cell)中通过坐标原点O的（111）面上的原子，也作如上投影，那么可以看到，该面上原子中心投影位置与C层原子中心投影位置是相同的。由于晶体点阵的对称性和周期性，面心立方晶体（111）密排面上的原子在该面上的投影位置是按A、B、C三个原子面的原子投影位置进行周期变化的。可以记为：ABCABCA…，这就是面心立方晶体密排面的正常堆垛顺序。如果用记号△表示原子面以AB、BC、CA…顺序堆垛，▽表示相反的顺序，如BA、AC、CB…，那么面心立方晶体密排面的正常堆垛又可以表示为：△△△△△，如图4.1（d）所示。  4.4.2 不全位错(Partial Dislocation) 若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是部分区域存在，那么，在层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量不等于点阵矢量的不全位错。在面心立方晶体中有两种重要的不全位错：肖克莱（Shockley）不全位错和弗兰克（Frank）不全位错。 A 肖克莱(Shockley)不全位错 图4.4为肖克莱不全位错的刃型结构。 下半图是把上半图中A层与C层在（111）面上作投影。分层使用了不同的符号，□代表A层，原子呈密排，▲代表紧接A层之下的C层，也是密排的。让A层的右半部滑移至B层原子的位置，其上部的各层也跟着移动，但滑移只限于一部分原子，即右半部原子。于是右半部的滑移面上发生了层错，左半部则没有移动，所以也没有层错，在两者的交界处发生了原子的严重错排，图中滑移后的原子位置用虚线连接。 不全位错可以认为就在上半部的图中的A层上的两个星号之间，此时在下半图上看到对应的滑移后的A层原子位置，在用虚线连接起来的六角形中，越接近位错的部分畸变越大 。 上半图中左边的晶体按ABCABC…正常顺序堆垛，而右边晶体是按ABCBCAB…顺序堆垛，即有层错存在，层错与完整晶体的边界就是肖克莱位错，它位于一个平面上。图中下半部的右上角处的箭头符号即为不全位错的柏氏矢量 ，它与位错线互相垂直，因此它是纯刃型的肖克莱不全位错。 1) 四面体的4个面为{111}晶面族构成。 2) 四面体的6个棱边代表12个 晶向，即为面心立方晶体中12个全位错的柏氏矢量。 3) 每个面的顶点与其中心的连线代表24个 型的滑移矢量，相当于面心立方晶体中的24个肖克莱不全位错的柏氏矢量。 4) 4个顶点到它所对的三角形中心点的连线代表8个 型的滑移矢量，相当于面心立方晶体中的8个弗兰克不全位错的柏氏矢量。 5) 4个面的中心连线即 为 型的压杆位错。 这个位错反应从几何条件和能量条件来判断均是可行的，如下所示： 几何条件为： ，能量条件为： 均满足，能反应。 通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的位错组态称为扩展位错，图4.13即为 扩展位错的示意图。 图4.13 面心立方晶体中的扩展位错 由（4-3）式可知，扩展位错的宽度d与晶体的切变模量μ和位错的柏氏矢量b成正比，与单位面积层错能γ成反比。即层错能越大，扩展位错的宽度越小。具有面心立方结构的不同金属它们的层错能是不同的。例如，铝的层错能很高，故其扩展位错的宽度很窄，仅1~2个原子间距，实际上可认为铝中不会形成扩展位错；而奥氏体不锈钢的层错能很低，其扩展位错的宽度可达十几个原子间距。 当一个螺型单位位错分解为扩展位错后，由于两个肖克莱不全位错不能离开层错面，因而扩展位错要实现交滑移首先必须束集成单位位错，然后才能进行交滑移。 从扩展位错交滑移可知，层错能低的金属，扩展位错宽度大，束集困难，不易交滑移；而层错能高的铝，扩展位错宽度小，束集容易，因而很容易交滑移。 4.4.4 面角位错 (Lomer-Cott