第4章 二阶非线性.pptVIP

第4章 二阶非线性光学效应 4.1 线性电光效应 4.2 光整流效应 4.3 三波混频及和频、 差频产生 4.4 二次谐波产生 4.5 参量转换 4.6 参量放大与参量振荡 4.1 线性电光效应 线性电光效应也叫做普克尔（Pockler）效应。 当没有反演中心的晶体受到直流电场或低频电场作用时, 其折射率发生与外加电场成线性关系的变化。 应当指出的是, 这里所说的低频电场是与光频比较而言, 所以微波频率也包括在内。 线性电光效应是一种特殊的二阶非线性光学效应。 在这里, 作用于介质的两个电场， 一个是光电场, 另一个是低频场或直流场, 在这两个电场的作用下产生了二阶非线性极化。 现在假定作用于介质的直流场为E0、 光电场为E exp(-iωt)+c.c., 则根据极化强度的一般表示 因此, 相应于频率为ω的极化强度分量表示式为 用分量形式表示为 由上面的讨论已知, 由于直流电场E0的存在, 引起了介电常数张量的变化, 也就引起了折射率椭球方程的系数1/n2x、 1/n2y、 1/n2z发生变化。 因此, 在有直流电场存在时, 应将折射率椭球方程写成如下一般的形式: 当直流电场为零, 且x、 y、 z轴分别平行于三个介电主轴时, 有 1） KDP（KH2PO4）晶体中的线性电光效应 KDP晶体其光轴取为z轴, 另外两个对称轴为x轴和y轴。 它的线性电光张量的非零元素只有γ41=γ52和γ63, 其矩阵形式为 当外加直流电场E0=0时, KDP晶体的折射率椭球方程为 由（4.1-19）式关系, 有 2) 43m类晶体的线性电光效应（横向运用） 43m类晶体为立方晶系类, 属于这类晶系的晶体有CuCl、 ZnS、 GaAs、 ZnTe等。 这类晶体未加电场时, 光学性质是各向同性的, 其折射率椭球为旋转球面, 方程式为 ? x2+y2+z2=n20 (4.1-30) ? 式中, x、 y、 z取晶轴方向, 它们的线性电光张量矩阵为 因此, 外加直流电场E0后的折射率椭球方程为 2. 麦克斯韦方程解析法描述 如前所述, 线性电光效应是一种二阶非线性光学效应, 由于直流电场的作用, 使介质对频率为ω光波的相对介电常数张量变为 1） KDP晶体的线性电光效应 假定外加直流电场平行于光轴（z轴）, 并且根据 42m类晶体的二阶极化率张量形式 写成矩阵的形式为 4.3 三波混频及和频、 差频产生 4.3.1 三波混频的耦合方程组 由二阶非线性极化强度的一般表示式： 三个频率ω1、 ω2和ω3的光电场标量复振幅E(ω1,z)， E(ω2,z)和E(ω3,z)满足的微分方程分别为： 式中的P′NL (ω,z)为： 4.3.2 曼利-罗关系 在得到上式时已利用了关系ω1+ω2=ω3。 现再取（4.3-19）式的复数共轭并与（4.3-19）式相加, 有 因为能流密度Sω的表示式为: 4.3.3 和频产生 上面给出的方程组（4.3-16）~（4.3-18）是讨论非线性介质中三波(ω1,ω2,ω3=ω1+ω2)混频的基本耦合波方程组。 现在我们首先讨论和频产生的情况。 给定输入光场，基于耦合波方程，求出和频光场，通常采用两种方法：小信号近似理论和大信号理论 所谓小信号理论，是认为在光混频过程中，频率为 和 的光波强度改变很小，以至于可以认为他们的强度在光波耦合过程中是不变化的 大信号理论，认为光混频过程中， 和 光波强度都在变化 1. 小信号近似理论处理 在满足相位匹配条件下, 即Δk=0时, 方程（4.3-18）式的解为 2. 大信号理论处理 在ω1和ω2入射光电场振幅为E0(ω1,0)和E0(ω2,0)的情况下, （4.3-16）式~（4.3-18）式的一般解为： 在这里, 频率为ω2的光场分量已表示为入射光频率为ω1 和ω2两个分量中强度较弱的一个。 sn(u,k)是以u和k为参变量的雅可比椭