绝缘栅场效应管 .doc

绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS管。nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;MOS管按工作方式分类:nbsp;增强型MOS管:N 沟道, P沟道 耗尽型MOS管:N 沟道, P沟道 nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;1.结构和符号:nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;2.工作原理nbsp;nbsp;nbsp;绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。（1）感生沟道的形成：栅极和源极之间加正向电压nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; 在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。 当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—-漏源之间的导电沟道。开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。 nbsp;nbsp;uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。nbsp;nbsp;nbsp;（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用nbsp;nbsp;在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。nbsp;uGS对iD的控制作用：uGS变大iD变大沟道宽度变宽沟道电阻变小（3）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响nbsp;nbsp;当uDS较小，即uGDgt;gt;UT时，沟道宽度受uDS的影响很小，沟道电阻近似不变，iD随uDS的增加呈线性增加。 当uDS增大时，沟道各点与栅极间电压不等，使沟道从源极向漏极逐渐变窄。随着uDS增大，沟道电阻迅速增大，iD不再随uDS线性增大。 继续增大uDS ，则uGD lt;UT，夹断区增加，增加的uDS电压几乎全部降落在夹断区上，所以uDS虽然增加而电流基本上是恒定的。 nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（二）N沟道增强型MOS管的特性曲线nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;1.输出特性nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;输出特性是指uGS为一固定值时，iD与uDS之间的关系，即nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（1）可变电阻区（非饱和区）nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;区对应预夹断前，uGSgt;UT，uDS很小，uGDgt;UT的情况。nbsp;nbsp;（2）恒流区（饱和区）nbsp;nbsp;nbsp;区对应 预夹断后，uGSgt;UT，uDS很大，uGDlt;UT的情况。nbsp;（3）截止区nbsp;该区对应于uGS≤UT的情况nbsp;nbsp;2.转移特性转移特性是指uDS为固定值时，iD与uGS之间的关系，即nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;特点：当FET工作在恒流区，不同uDS的转移特性曲线基本接近。 nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; nbsp; nbsp; （UGSgt;UT）（三）N沟道增强型MOS管的主要参数nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;1.直流参数nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（1）开启电压UT：在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压。实际上是在规定的uDS条件下，增大uGS，当iD达到规定的数值时所需要的uGS值。 （2）直流输入电阻RGS：在uDS=0的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅源极间的直流电阻。 nbsp;nbsp;2.交流参数nbsp;nbsp;nbsp;（1）跨导gmnbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（2）极间电容：栅、源极间电容Cgs和栅、漏极间电容Cgd，它影响高频性能的交流参数，应越小越好。3.极