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《电子技术基础》试题 考试说明：1.本试题总分100分，考试时间为90分钟. 2.本试卷共3页，共四大题。 3．答案全部写在答案专页上。 一．判断题（每题1分，共10分） 1．结型场效晶体管可分为增强型和耗尽型两类。（ ） 2．N型半导体自由电子数量多，而自由电子带负电荷，所以N型半导体带负电。（ ） 3．PNP管处于放大状态时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。（ ） 4．晶体三极管的输出特性曲线反映Vce与ic的关系。（ ） 5．β和ICEO对温度的敏感，是造成晶体管静态工作点不稳定的重要原因。（ ） 6．为消除放大电路的截止失真，应将上偏置电阻Rb1调小些。（ ） 7．在半波整流电路中接入滤波电容时，输出电压平均值VO=V2。（ ） 8．场效应管是电流控制型器件。（ ） 9．为了提高放大器的输入电阻，可采用电流负反馈。（ ） 10．画交流通路时可将电容和电源视为开路，其他不变。（ ） 二． 单项选择题（每题2分，共40分） 1．三极管处于放大状态时，加在硅材料三极管的发射结正偏压为（ ）。 A．0.1—0.3 V B．0.5—0.8 V C．0.9—1.0 V D． 1.2 V 2．若某单相桥式整流电路中有一只整流二极管断路则（ ） A．VO会升高 B．VO会降低 C．不能工作 D．仍可工作 3．光电二极管有光线照射时，其正