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基于AT89C51实现海量存储系统的设计 　　摘要：解决MSC51单片机数据存储空间容量的访问容量限制，在很大程度上可以扩展和提高单片机应用系统的总体功能。文章以三星公司NAND型闪存芯片K9K2GXXU0M为例，扩展了AT89C51芯片的数据存储器，实现了单片机的海量存储系统。 　　关键词：NAND；闪存；海量存储；汇编语言 　　中图分类号：TP368 文献标识码：A文章编号：1009-3044(2011)10-2287-03 　　Design of Mass Storage System for Metadata Based on AT89C51 SCM 　　LIU Qing-hai, LIU Guang-feng, YANG Li-guo 　　(Feixian Campus of Qingdao Technological University, Linyi 273400, China) 　　Abstract: MSC51 microcontroller solve the access data storage capacity of capacity constraints, in large measure to extend and improve the overall function of SCM applications. Articles by Samsung NAND flash memory chips-K9K2GXXU0M, for example, extends the AT89C51 chip data memory, to achieve a single chip mass storage system. 　　Key words: NAND; flash memory; mass storage; assembly language 　　在开发单片机应用系统，经常需要存储海量数据，对于数据采集系统或嵌入式系统更是如此[1]。但是单就单片机本身的存储能力而言，存储这些数据的解决方案相当复杂或成本较大，甚至不现实。目前，多数研发人员开始寻找其他方式进行扩展存储能力，如文献[2]采用AT29C040芯片来解决此类问题，但是该闪存芯片容量太小，不能再满足系统的需求，于是本文采用超大容量闪存K9K2GXXU0M和AT89C51单片机相结合实现了海量数据的存储系统。 　　1 系统引脚说明 　　Atmel公司的AT89C2051是一种带2K字节闪烁可写操作可擦除只读存储器的高效单片机，而三星公司的K9K2GXXU0M是一种可以进行电擦写，功耗低，单片容量高达256MB的NAND型闪存芯片。正是闪存非易失性和可擦写性的特点，使得该文中的存储系统具有可靠性高、操作简便的优点。图1给出了该系统硬件设计的主要部分原理图。 　　系统设计中用到的芯片引脚，主要有AT89C51的P0.0~P0.7、P1.0~P1.2、P1.4~P1.6引脚分别与闪存的I/O、CLE、ALE、RE、CE、WE、R/B引脚相连，其中P0在FIASH编程时，作为原码输入口；P1在FLASH编程和校验时，作为第八位地址接收[3]。 　　CLE：指令锁存端：用于激活指令到指令寄存器的路径，并在WE上升沿且CLE为高电平时将指令锁存。 　　ALE：地址锁存端：用于激活地址到内部地址寄存器的路径，并在WE上升沿且ALE为高电平时，将地址锁存。 　　CE：片选端：用于控制设备的选择。当设备忙时，CE为高电平而被忽略，此时设备不能回到备用状态。 　　RE：读使能端：用于控制数据的连续输出，并将数据送到I/O总线。只有在RE的下降沿时，输出数据才有效，同时，它还可以对内部数据地址进行累加。 　　WE：写使能控制端，用于控制I/O口的指令写入，同时，通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。 　　R/B：就绪/忙输出，R/ B的输出能够显示设备的操作状态。R/B处于低电平时，表示有写操作、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后，R/B会自动返回高电平[4]。 　　2 存储结构 　　NAND结构的K9K2GXXU0M由1K个块(BLOCK)组成，每个块有512页，每页有528字节，这528字节分成A、B、C三个区。对每一页的寻址需要通过I/O口送出4个地址，第二、三、四行地址(A9~A28)指明寻址到某一页，第一列地址指明寻址到页的指定区中某一字节。对页的分区命令如表1所列，其中00H、01H、50H为选区指针，选定区的内部寻址是由第一个列地址完成的，A0~A7可以最大寻址256字节。 　　系统在对K9K2GXXU0M芯片进行写操作时，写页操作确认指令(10H)即可开始写操作操作，但写入指令(10