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五、通用阵列逻辑 GAL器件分为: (见教本P117) 1、普通型GAL器件: 2、通用型GAL器件: 3、异步型GAL器件: 4、FPLA型GAL器件: 5、在系统可编程GAL器件: 第六章 在系统编程技术 PLD的发展: 熔丝型 70年代 光擦除型 电擦除型 80年代 90年代 在系统编程型 在系统编程(ISP):是指用户具有在自己设计的目标系统中或线路板上为重构逻辑而对逻辑器件进行编程或反复改写的能力。 一、ISP技术的特点 常规PLD在使用中通常是先编程后装配。而采用ISP技术的PLD,则是先装配后编程,且成为产品之后还可反复编程。 ISP器件的出现,从实践上全面实现了硬件设计与修改的软件化,使数字系统的设计面貌焕然一新。 1、设计工作中的优越性 1)、ISP技术设计调试方法的优点 A、无需改动元器件和印刷板就可修改系统功能的特点。 B、大大缩短系统的设计、调试周期,是一种全新的设计方法。 C、支持设计方案的保密。 ISP器件的设计流程图: 设 计 设计输入 逻辑仿真 逻辑适配 下 载 ABLE语言输入 原理图输入 ABLE语言和原理图混合输入 2)、系统调试 硬件与软件之间的沟通很容易建立,并且能够更快的实现软硬件之间的最初连接。 3)、电路板的重构和现场升级换代 2、生产制造技术中的优越性 1)、生产流程简化 ISP技术不仅引起逻辑设计领域的变革,而且使生产制造技术有了质的飞跃。 常规的PLD有两种:一种是已编程的芯片,另一种是自行编程的空白芯片。 两种制造流程比较: * 第五章 可编程逻辑器件 一、引言 1、通用片 功能由器件厂制造时定死,用户只能使用而不能改变其内部功能。 2、用户片 完全按用户要求设计的VLSI器件。一般称为专用集成电路(ASIC)。 3、现场片 用户可在现场更改其内容(功能)。如EPROM、FPLA、PAL、GAL、FPGA等一类可编程逻辑器件,通称为PLD器件。 低密度的PLD器件的基本框图如图:它由输入缓冲、与功能、或功能、输出缓冲等四部分功能电路组成。 根据与门阵列、或门阵列和输出结构的不同,低密度的PLD又可分为四种基本类型: PROM(可编程只读存储器) FPLA(现场可编程逻辑阵列) PAL(可编程阵列逻辑) GAL(通用阵列逻辑) FPGA(现场可编程门阵列) 二、随机读写存储器(RAM) 双极型 RAM 静态MOS MOS型 动态MOS 优点:读写方便,使用灵活; 缺点:断电后存于RAM的信息会丢失。 1、RAM的基本结构 地址译码器 存 储 矩 阵 读写电路 地址码 读/写 控制 输出信息 输入信息 存储矩阵:由许多排列成阵列形式的存储元组成,每个存储元能存储一位二进制数据(0或1),所以,存储元的数目决定了存储器的容量。 如:存储矩阵有64行、64列,则存储矩阵的存储容量为64*64=4096个存储元。 3、存储器容量的扩充 1)、位扩展 2)、字扩展 3)、字位同时扩展 例、见教本P106,例1、2、3、4。 三、只读存储器(ROM) 1、ROM的分类 见教本P107 优点:具有不易失性,即断电不丢失信息; ROM电路(Read Only Memery)一种固定存放二进制数码的存储器,一般情况下,只能读取它所存储的信息,而不能改变它已存储的内容。 1)、掩模式只读存储器; 2)、一次编程只读存储器(PROM); 3)、多次改写编程的只读存储器; 4)、闪速存储器(FLASH) 2、功能与框图 地址编码 A2 A1 A0 存储的二进制数码 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0
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