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深圳市瑞上光电器材有限公司 深圳市瑞上光电器材有限公司 灿元10×20芯片 灿元10×23芯片 P-N结 　当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合时，由于交界面处存在的载流子浓度差，于是电子和空穴都会从高浓度区域向低浓度区域扩散。电子与空穴都是带电的，其扩散的结果就导致了Ｐ区和Ｎ区原来的电中性被破坏。这样，Ｐ区一侧失去空穴剩下不能移动的负离子，Ｎ区一侧失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子就是空间电荷。在空间电荷集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一很薄的空间电荷区，就是P-N结 。 芯片发光原理 ◆ 在P区一侧为负电荷，N区为正电荷，于是空间电荷区，便出现了由N到P的电场。这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，这便是内电场。由于内电场的存在，使得P-N结处于动态平衡状态。 ◆　　当我们给P-N结一个正向电压，便改变了P-N结的动态平衡。注入的少数载流子（少子）与多数载流子（多子）复合时，便将多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。如果给PN结加反向电压，少数载流子（少子）难以注入，故不发光。 ◆　　利用注入式电发光原理制作的二极管就是我们常说得发光二极管，即LED。在LED得两端加上正向电压，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线。调节电流，便可以调节光的强度。 偏焊、滑球和金球过大导致什么？ 一焊点判定标准： 1、金球应在电极中心，不得超出电极范围 2、1.5倍线径≤金球≤3倍线径 偏焊、滑球和金球过大都有可能导致P-N结短路。当给晶片加载正向电流时，在晶片内部形成反向电流，即IR。 * 1、W×L=490±30um×240±30um (490um=19.2913mil 、240um=9.4488mi) 2、Thickness=100±10um (100um=3.9370mil) 3、1 N-Pad and 1 P-Pad (AU Pad ￠70±5um) 4、发光颜色：Blue 元素组成：GaN 晶片图 尺寸 1、W×L=575±30um×250±30um (575um=22.6378mil、250um=9.8425mil) 2、Thickness=90±10um (90um=3.5433mil) 3、1 N-Pad and 1 P-Pad （ AU Pad ￠95±5um ） 4、发光颜色：Blue 元素组成：GaN 晶片图 尺寸 * * * * *