第二章节材料的电学性能幻灯片.pptVIP

电阻分析的应用 合金的时效 合金的有序－无序转变 固溶体的溶解度 淬火钢的回火 Al-Cu合金时效步骤： 1、加热到α单相区固溶 2、淬水，得到过饱和α固溶体 3、在室温或加热时效： a. 析出GP区（与基体共格） b. 析出θ’’（与基体共格） c. 析出θ’（与基体半共格） d. 析出CuAl2（与基体非共格），并聚集长大。基体Cu含量减少，电阻下降。 铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚 25℃时效产生的GP区在215℃保温时又溶回到基体中，形成均匀固溶体，电阻下降。 合金的有序－无序转变 （有序结构电阻率低） 测量方法： 1、将不同成分的试样加热到略低于共晶（共析）转变温度t0，保温足够的时间，然后淬火得到过饱和固溶体。 2、把淬火试样加热到低于t0的各个温度保温，使组织达到平衡。 3、然后再淬火到室温测量电阻率，作出ρ-B％曲线。 4、找出转折点对应的浓度，即为各温度下B在A中的溶解度。 淬火钢的回火 1、110℃马氏体分解，正方度下降，电阻率降低。含C量越高，马氏体脱溶分解（电阻率下降）越急剧。 2、230℃残余奥氏体分解，基体C含量减少，电阻率下降。 材料的疲劳过程 缺陷密度增高、裂纹的形成，使试样电阻增加。 半导体的电学性能 半导体中电子的能量状态－能带 满带、禁带和导带 本征半导体 N型半导体 P型半导体 PN结的特性 由于电子能否由价带跃迁到空的导带中，主要取决于能隙的大小。C、Si、Ge、Sn的能隙分别为5.4eV、1.1eV、0.67eV和0.08eV。可以算得室温（27℃）下上述元素中进入导带的电子几率分别为1.2x10-47、2.5x10-10、1.5x10-6和0.17。故金刚石为绝缘体，锡可算作导体，而硅、锗即为半导体。 本征半导体－纯净的无结构缺陷半导体单晶，如单晶Si。 半导体受到热激发，满带中的部分价电子跃迁到空带中，形成自由电子和空穴。两者成对出现。 无外电场作用，自由电子和空穴运动无规则，不产生电流。 加外电场，电子逆电场方向运动，空穴顺电场方向运动，形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。 本征半导体的电学性能 本征载流子（自由电子和空穴）浓度相等： 迁移率－单位场强下自由电子和空穴的平均漂移速度 电流密度－单位面积的电流 电阻率和电导率 掺杂半导体 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素杂质（P、As、Sb等，形成多余价电子。该多余价电子能量状态较高，在常温下能进入导带，使自由电子浓度极大提高。 五价元素称为施主杂质（提供多余电子） N型半导体（电子型半导体）中，自由电子的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由自由电子产生。 本征激发产生的空穴被自由电子复合，故空穴的数量少，称为少子。 N型半导体电导率随温度的变化 随温度的增加，越来越多的施主杂质电子能进入导带，最后直到所有杂质电子全部进入导带。当达到这一温度时，称为施主耗尽。此时电导率为常数（因为温度太低，无本征电子及空穴的导电）。 通常选择在施主耗尽即平台温度的范围内工作。 P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素杂质（B、Al、Ga、In，形成高浓度空穴。在常温下价带中的价电子能进入三价元素的空穴，而在价带在产生空穴。 三价元素称为受主杂质（能接受价电子）。 P型半导体（空穴型半导体）中，空穴的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由空穴产生。 本征激发产生的自由电子被空穴复合，故自由电子的数量少，称为少子。 PN结的产生及特性 P区中空穴向N区扩散，在交接面的P区中只留下三价掺杂负离子。 N区中自由电子向P区扩散，在交接面的N区中只留下五价掺杂正离子。故在交接面形成空间电荷区。 空间电荷区形成由N指向P区的内电场和内建电位差，阻止空穴和自由电子的扩散，最终扩散和漂移达到动态平衡。 无外加电场，PN区内无电流。 PN结的单向导电性 外加正向电压， PN区内建电位差减小，空穴和自由电子的扩散和漂移的平衡被打破，扩散大于漂移，产生P指向N的正向电流。U越大，电流越大。 外加反向电压， PN区内建电位差增大，扩散小于漂移，以致与停止。但产生N指向P的反向电流。由于是少子产生，故电流极小。 上述机制形成了PN结的单向导电性。这是构成半导体二极管和三极管的基础。 超导电性 超导体的特性 1、完全导电性 有报导说用Nb0.75Zr0.25合金超导导线制成的超导螺线管，估计其超导电流衰减时间不小于10万年。 超导体没有电阻，因而是等电位的，其中没有电场。 2、完全的抗磁性－迈斯钠效应 试样表面产生感应磁场，抵消外磁场。 评价超导材料的性能指标： 1、临界转变温度Tc