Hall效应测试仪知识讲稿.ppt

霍尔效应系统;用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 ;一、霍尔效应基本原理;实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即;如下图所示，一长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为 ;Fm指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚，同时在B侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场EH（即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力Fe，A、B面之间的电位差为VH（即霍尔电压）， ;最后达稳定状态时有 ;如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度。 高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B值的仪器。 ;将待测的厚度为d的半导体样品，放在均匀磁场中，通以控制电流I，测出霍尔电压VH，再用高斯计测出磁感应强度B值，就可测定样品的霍尔系数RH。又因RH=1/ne（或1/pe），故可以通过测定霍尔系数来确定半导体材料的载流子浓度n（或p）（n和p分别为电子浓度和空穴浓度）。;电导率 的测量;电导率σ与载流子浓度n以及迁移率 之间有如下关系;2、霍尔效应的副效应;（1）厄廷豪森（Eting hausen）效应 1887年厄廷豪森发现，由于载流子的速度不相等，它们在磁场的作用下，速度大的受到的洛仑兹力大，绕大圆轨道运动，速度小则绕小圆轨道运动，这样导致霍尔元件的一端较另一端具有较多的能量而形成一个横向的温度梯度。因而产生温差效应，形成电势差;（2）能斯特（Nernst）效应 ;（3）里纪——勒杜克（Righi—Leduc）效应 ;1;副效应的消除 ;3、Hall效应系统;组成 磁铁(可达10K高斯) 高斯计 精密电流源 精密电压、电流计 控制器 软件系统;4、Hall效应系统测试步骤;关机顺序： 关电脑和软件 关控制电源 关磁铁电源 关水阀;磁铁的选择 温度的选择 高低???的选择