维修电工技师教学讲义.pptVIP

;PowerPoint Template_Sub ;第一章 电子技术基础;培训要点： 本章应重点掌握各种典型电子电路的功能、工作原理、性能指标和分析方法，电力半导体器件的结构、原理、特性和主要参数、使用与保护知识。;一、晶体管放大电路;第一节 模拟电子电路;第一节 模拟电子电路;第一节 模拟电子电路;第一节 模拟电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路;第二节 数字电子电路; 电力半导体器件是电力电子技术的基础，其性能的优劣在很大程度上决定电力电子设备的技术经济指标。 常用的电力半导体器件有：普通晶闸管(SCR)、门极关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力MOS场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、MOS栅控晶闸管(MCT)和功率集成电路(PIC)等。 一、电力晶体管 1.基本结构和工作原理 电力晶体管(简称GTR)属于电流控制型器件，是一种耐压高、电流容量大的双极型大功率晶体管,有PNP型和NPN型两种。NPN型电力晶体管的基本结构和图形符号分别如下图a、b所示。; 为了简化GTR的驱动电路，减小控制电路的功率，常常将上页图c所示的达林顿结构(复合管)电力晶体管、续流二极管、加速二极管等集成在同一芯片上，做成电力晶体管模块。; 3.GTR的基极驱动 下图所示为一种基极驱动原理电路和波形。由图可见，GTR对基极驱动的一般要求是：开通时要过驱动(IB=IB1)，以缩短晶体管的导通时间；正常导通时要浅饱和(IB=IB2)，以利于晶体管的关断；关断时要反偏(IB=IB3)，以缩短晶体管的关断时间。 ;GRT的优缺点： 优点：控制方便、开关时间短、高频特性好和通态压降较低等。 缺点：是存在局部过热引起的二次击穿现象。; 其工作原理是通过改变栅极与源极间的电压，使其内部沟道反型及恢复，来控制漏极电流的，因此它属于电压控制型器件。; 三、绝缘栅双极型晶体管(IGBT);1）集电极-发射极额定电压UCES。栅极-发射极短路时，IGBT的 耐压值。 2）栅极-发射极额定电压UGES。IGBT是由栅极发射极间电压信 号UGE控制其导通和关断的，而UGES为该控制信号电压的额定 值。 3）额定集电极电流IC。IGBT导通时，允许流过管子的最大持续电 流。 4）集电极-发射极饱和电压UCE(sat)。IGBT正常饱和导通时，集电 极-发射极之间的电压降。 5）开关频率。IGBT的开关频率是由其导通时间ton、下降时间tf和 关断时间toff来决定的。; 3.IGBT的驱动 随着IGBT的广泛应用，针对IGBT的优点而开发出的各种专用驱动模块也应运而生，如日本富士公司的EXB841专用驱动模块。各种高性能的专用驱动模块，为IGBT的广泛应用提供了极大方便。IGBT是发展最快且已走入实用化的一种复合型功率器件。 ; 当单个器件额定电压不能满足电路电压要求时，可将多个器件串联使用，但器件串联时要保证各个串联器件所承受的电压基本相等(即均压)；当单个器件额定电流不够大时，可将多个器件并联使用，但器件并联使用时要保证每个并联器件中流过的电流基本相等(即均流)。 2.电力电子器件的保护 过电压和过电流保护是提高电力电子装置运行可靠性所不能缺少的重要环节。