第1-2章 自关断器件【ppt】.pptVIP

* 电力电子技术 * 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ * 电力电子技术 * 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ * 电力电子技术 * 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ * 电力电子技术 * 本章小结 ? 当前的格局: IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固 ■ * 电力电子技术 * 压敏电阻过 电压抑制器 阀器件换相过电 压抑制用RC电路 * 电力电子技术 * 直流侧RC 抑制电路 阀器件关断过电压 抑制用RCD电路 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。 其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电 路范畴。 * 电力电子技术 * （三）限制过电压的非线性元件 1. 硒堆 若干片硒整流元件组成硒堆。具有较陡的反向非线性特性，当超过转折电压时，反向电流增加很快，消耗较大瞬时功率，过电压被限制在硒堆的反向击穿电压。 每片硒片的额定电压有效值一般为20~30V。 硒片的缺点是，长期不用反向电阻会下降。初次使用时，必须先加50%额定电压10min，再加额定电压2h，才能恢复其原有的反向伏安特性。 * 电力电子技术 * 2. 金属氧化物压敏电阻 击穿前漏电流为微安级，损耗小。击穿后能通过数千安的浪涌电流，但是每次击穿流过较大浪涌电流之后，击穿电压有所降低，因此不宜用于抑制频繁出现过电压的场合。 * 电力电子技术 * 压敏电阻的主要参数： U1mA —漏电流为1mA时的额定电压值； U? —放电电流达到规定值 I? 使的电压； 通流容量—在规定冲击电流波形下，允许通过的浪涌电流值； 残压—压敏电阻通过电流时在其两端的电压降。 非线性元件还有：转折二极管BOD、对称硅过电压抑制器SSOS等。 * 电力电子技术 * （四）用非线性元件抑制过电压 硒堆正向为二极管特性，使用时将两组硒堆反向对接，使双向具有稳压管特性。 * 电力电子技术 * 压敏电阻： * 电力电子技术 * 外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见图。 RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧。 （五）用RC抑制过电压 * 电力电子技术 * 在变压器二次侧并联电阻电容，可以把变压器绕组中释放出的电磁能量转化为电容器的电场能量储存起来。电容器电压不能突变，有效地抑制过电压。串联电阻能消耗部分产生过电压的能量，并抑制LC回路的振荡。 * 电力电子技术 * 大容量电力电子装置可采用图示的三相整流式RC电路（P131图6-9）多用一组三相整流桥，只用一个电容，并因只承受直流电压，可采用体积小容量大的电解电容，缩小了保护装置的体积。又可避免电容放电增加晶闸管的di/dt。 * 电力电子技术 * 直流侧保护可采用与交流侧保护相同的方法，阻容保护和非线性元件保护。 在晶闸管两端并联阻容保护电路，抑制晶闸管关断过电压。 晶闸管关断时，变压器电流可经RC续流，减小di/dt，抑制过电压。电阻可阻尼LC振荡，限制晶闸管开通时电容放电的di/dt。 * 电力电子技术 * 四. 晶闸管的du/dt和di/dt承受能力及保护 （一）电压上升率du/dt 在阻断状态下，晶闸管的J2结面相当于一个电容，如果突然受到正向阳极电压，就有充电电流流过门极与阴极的PN结，相当于流过一触发电流。当正向阳极电压上升率du/dt较大时，充电电流也较大，就会使晶闸管误导通。因此对du/dt有一定限制。 * 电力电子技术 * 电压上升率du/dt过大的原因： 1.由电网侵入的过电压。 2.换相时相当于线电压短路，换相结束后线电压又升高，每一次换相都可能du/dt造成过大。 限制du/dt过大可在电源输入端串联电抗器和晶闸管每个桥臂上串联电抗，利用电感的滤波特性，使du/dt降低。 * 电力电子技术 * （二）电流上升率di/dt 晶闸管在正向阳极电压作用下，当门极流入触发电流后，最初的导通瞬间，主电流集中在门极附近，随着时间的增长，导通区才逐渐扩大，直到全部结面导通为止，这个过程约需几微秒到几十微秒。如果导通时电流上升率太大，则可能引起门极附