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第4 章 场效应管基本放大电路 * */28 4.1 概述 4.2 场效应管放大电路的静态分析方法 4.3 场效应管放大电路的动态分析方法 4.4 共漏放大电路 4.5 共栅放大电路 ? N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 复习 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C 各类绝缘栅场效应三极管（即MOS管）的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 复习1 UT 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 复习2 UP 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 复习3 UP 4.1 概述 场效应管与晶体管的相比，具有以下特点： 1. 电压控制元件，iD受uGS的控制。 2. 是单级型器件，温度特性好，抗辐射能力强。 3. 输入电阻高，可达109~1014? 4. 功耗小，便于集成。 5. 不同类型的FET对偏压的要求不同。 6. 跨导gm较低。 7. 存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。 8. 工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等。 4.1 概述 场效应管的三种基本放大电路： 4.2 场效应管放大电路的静态分析方法 一、 场效应管的直流模型 耗尽型MOS管(简称D管） 增强型MOS管(简称E管） UGS(th) 开启电压（增强型）, UGS(off)夹端电压（耗尽型、结型） 二、直流偏置及静态分析 场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS。 自给偏置电路： 适合结型场效应管和耗尽型MOS管 外加偏置电路： 适合增强型MOS管 1.场效应管直流偏置电路 直流偏置的两种方式： 静态分析内容：栅源电压UGSQ、漏极电流IDQ和漏源电压UDSQ Q: quiescent 2. 静态分析方法---自给偏置电路分析 UGS = UG-US = -ISRS = -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) RS的作用： 1. 提供栅源所需的直流偏压。 2. 提供直流负反馈，稳定静 态工作点。RS越大，工作点 越稳定。但会造成工作点偏 低，放大增益减少，非线性 失真增大。 G S D 基本自给偏置电路 偏置电路 R1R2提供一个正偏栅压UG 大电阻RG（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响。 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 改进型自给偏置电路 -IDQRS R1和R2提供一个固定栅压。 UGSQ = UG-US 注意：对于N沟道MOSFET，要求UGUS，才能提供一个正偏压。且要求UGSUGS(th), 增强型管子才能正常工作。 UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 2. 静态分析方法---外加偏置电路分析 S D gds ΔuGS + - + - ΔuDS G iD 一、场效应管交流等效电路模型--低频小信号模型 由输出特性： iD=f(uGS,uDS) ΔiD gm ΔuGS gm：跨导 gds：输出电导gds=1/rds 4.3 场效应管放大电路的动态分析方法 （微变等效电路） S D gds uGS + - + - uDS G iD 低频跨导定义 iD gmugs （耗尽型、结型管） （增强型管） （了解） Cgd S D gmugs gds ugs + - + - uds G iD Cgs Cds 一、场效应管交流等效电路模型—高频小信号模型 二、共源放大电路分析 直流分析 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 一般rds较大可忽略 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS S ugs ui uo 未接Cs时 = - gmugsRD ugs + gmugsRs = - gmRD 1 + gmRs RD=RD//RL 交流分析 ui uo gmugs Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS S ugs ui uo 未接Cs时 = - gmRD 1 + gmRs ri ri=RG+(R1//R2) ro ro ≈ RD 接入Cs时 AU= -gm(rds//RD//RL) ri=RG+(R1//R2) ro =RD//rds Rs的作用是提供一个直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它同时对交流也起负反馈作用，使电路的放大倍数降低。 接入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。 交流分析 gmugs G S D ri ui RG G uo RL RS