仿真教学041-器件仿真.pptVIP

计算机仿真在电力电子技术中的应用 清华大学电机工程与应用电子技术系 2002年6月北京 第二章 器件的仿真 建立相应的不同层次的模型，即器件（device），装置（Circuit）和系统（System）三级来进行，其中器件作为构成电力电子电路的物质基础，成为电力电子电路仿真研究的起点。 2.1 基本模型（Generic）（1）双极型器件双极型器件由于是由PN结构成，故可以将二极管模型作为其基本组成单元，并据此建立仿真模型。I. 二极管：理想二极管的基本方程可以利用非线性电流源与施加在其两端的电压之间的关系进行描述，即： 大功率二极管特性： 大注入现象：当二极管处于大偏量时多数载流子在外加电压作用下向导电类型相反的区域运动──少子注入。使得进入基区的少数载流子变得明显，从而改变了ID/VD曲线的斜率，该变化引起大电流时器件特性从理想曲线发生偏移，即称之为拐点。 电荷存储效应：即当电路迫使PN结由正向导通转入反向闭锁时，PN结正向导通时基区存储的大量的少数载流子不可能瞬间消除而需要一定的时间，该过程将形成很大的“反向恢复电流”。并称之为反向恢复过程。同样由于电荷的存储效果在PN结由闭锁转入导通时也会需要一个正向恢复过程。 耗尽区宽度：功率二极管在高掺杂的PN二极管的P区中加入一个宽的低掺杂的P区，以耐受高电压，此时器件呈现准三层的特性。P-区的加大使得传输时间难以忽略，而P+与P-区的掺杂浓度不同又破坏了结构上浓度均匀的假定，使得常规的二极管模型难以进行正确的描述。 II. 晶体管三极管 采用由电流源和两个二极管组成的所谓非线性混合?模型。特点主要包括：描述大电流时电阻效应对各区分别引入了等效电阻；为了模拟动态电荷的存储效应，引入了二个非线性结电容CJC,CJE来；为了进一步对于晶体管存在的低电流（即附电流时?下降），基区宽度调制和大注入等效应，故并联两个非线性二极管修正低电流模型；利用引入正向与反向欧拉电压和来描述集电极结电压和发射结电压对基区的调制作用，（GP模型），引入一个受控电流源Iepi和两个受控电容（由存储电荷Qo和Qw来描述）构成的子电路来模拟大功率三极管的准饱和效应。 II. IGBT功率MOS管作为单极型电压驱动器件，虽然具有一系列优点，但是导通电阻大，从而限制了电流容量的提高。而双极型晶体管等电流驱动器件，载流能力强，阻断电压高，但是驱动电流大。IGBT作为复合式器件结合上述二种器件的优点，即具有场控器件驱动功率小，速度快的特点，又具有双极型器件饱和压降低的优点。IGBT从结构上相当于在VDMOS的衬底上增加一个P＋层，此时器件为一个包括绝缘栅极在内的N＋PN－N＋P＋四层器件，也即相当于与MOS管并联一个由PNP-NPN双晶体管构成四层结构的晶闸管。 * * 整个电路的计算机辅助设计分为 工艺模拟，Superm(一维）;Supra （二维）；器件模拟，Sedan， Grmini；参数提取，Impact；电路 模拟Spice；和版图设计，Magic； 其中主要为不包括参数提取的四部 分。 工艺模拟是对集成电路制造过程中的 物理过程模拟，可以计算结构和杂质 分布，与器件模拟结合，得到器件性 能和电路特性。Suprem(Stanford University Process Engineering Model) 通过离散化将半导体结构沿垂直表面的 方向分成网格，每个格中有一个中心网 格，半导体结构的边界位于格点上。 假定每个网格中材料的物理性质和杂质 浓度相等；计算机以格点距离为步长进 行计算。 电学模型分类： 基本模型（Generic），即基本的电学模型。其特点是根据简化后的电力电子器件的物理规律，对SPICE等软件中原有的小功率器件的模型参数进行优化，并且引入一些新的特性，从而使模型更适于模拟高压器件的性能。 子电路模型（Subcircuit）：其特点在于利用仿真软件中已有的半导器件的模型，无源器件和受控源模型，根据所研究的器件的物理规律，组成一个新的模型。 数学模型（Mathematics）：对用户开放的软件中允许用户直接利用由器件的物理过程中抽象出的数学方程进行编程来定义的新模型。 （2）单极型器件 I. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 普通MOS场效应晶体管也称绝缘栅型场效应晶体管的剖面如图，当栅极和源极间加有正电压时金属栅极和衬底构成一个电容，形成一个排斥P型硅多数载流子空穴而吸引少数载流子电子的电场。该电场达到一定强度时形成一个与P型硅相反的反型层－N型薄层，在源极(S)与漏极(D)之间在P型硅衬底中形成一个N型的导电沟道。由于PN结形成了阻止电流流动的势垒，所以沟道的电导是沟道宽度、厚度以及沟道中载流子密度和迁