北航计算机学院现代电子系统设计方法与工具教程课件 2常用分立元器件.ppt

第2章 常用分立元器件 2.1 电阻器 2.2 电位器 2.3 电容器 2.4 半导体二极管 2.5 半导体三极管 2.1 电阻器 一、电阻器的主要参数 二、电阻器的命名方法 三、电阻器的分类及特点 四、常用电阻器的标志方法 五、电阻器的正确选用 2.1 电阻器 一、电阻器的主要参数 2.1 电阻器 3．静噪声电动势 2.1 电阻器 二、电阻器的命名方法 根据GB2470-81规定，电阻器的型号由以下几部分组成： 2.1 电阻器 2.1 电阻器 2.1 电阻器 2.1 电阻器 2.1 电阻器 2.1 电阻器 4．敏感类 敏感电阻——具有对温度、光照度、湿度、压力、磁通量、气体浓度等非电物理量敏感性质的电阻。 主要应用于自动检测和自动控制领域中。 2.1 电阻器 四、常用电阻器的标志方法 2.1 电阻器 2.1 电阻器 2.1 电阻器 五、电阻器的正确选用 2.1 电阻器 ——一般按理论计算消耗功率的1.5~3倍选定。 2.2 电位器 一、概述 二、性能指标 三、几种常用电位器 2.2 电位器 一、概述 三端元件，其中两个为固定端，一个为中心抽头。 调节电位器转轴，其中心抽头与固定端之间的电阻将发生变化。 可用作增益微调或运放调零电位器；还可从恒压源取得平滑或跳跃变动的输出电压。 2.2 电位器 二、性能指标 主要有标称阻值、允许偏差、额定功率（同电阻器） 2.2 电位器 三、几种常用电位器 2.3 电容器 一、概述 二、电容器的型号和标志方法 三、电容器的主要参数 四、常用电容器 五、电容器的正确选用 2.3 电容器 一、概述 2.3 电容器 二、电容器的型号及容量标志方法 2.3 电容器 2.3 电容器 直接表示法——用表示单位的字母加上数字组合表示。 如4n7表示4.7nF， 47n表示47nF=0.047 ?F， 6p8表示6.8pF。 2.3 电容器 三、电容器的主要参数 1．标称容量及偏差 2.3 电容器 3．电容温度系数 ——温度变化1度，电容器容量相对标称值变化了多少。 2.3 电容器 四、常用电容器 2.3 电容器 2.3 电容器 五、电容器的正确选用 根据电路要求选择合适的电容器型号 一般的耦合、旁路，可选用纸介电容器 高频电路，选用云母和瓷介电容器 电源滤波和退耦电路中，应选用电解电容器 2.4 半导体二极管 一、二极管的定义、结构和符号 二、二极管的伏安特性 三、二极管的分类 四、二极管的主要参数 五、常用二极管 2.4 半导体二极管 2.4 半导体二极管 2.4 半导体二极管 一、二极管的定义、结构和符号 1. 定义 晶体二极管也称半导体二极管，它是在PN结上加接触电极、引线和管壳封装而成的器件。 特点：单向导电性 。 2.4 半导体二极管 2.结构 由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。 2.4 半导体二极管 点接触型——适用于工作电流小、工作频率高的场合； 面结合型——适用于工作电流较大、工作频率较低的场合；? 平面型——适用于工作电流大、功率大、工作频率低的场合。 2.4 半导体二极管 二、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压u D之间的关系或曲线。 它描述了二极管的外特性，即管子电流与端电压的关系。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称为二极管的伏安特性曲线。 2.4 半导体二极管 当所加的正向电压为零时，电流为零； 当正向电压较小时，正向电流很小（几乎为零），二极管呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。 当正向电压升高到一定值Uγ（Uth ）以后，内电场被显著减弱，正向电流才有明显增加。Uγ 被称为门限电压。 Uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。 在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压Uγ的值，如图中虚线与U轴的交点。 当正向电压大于Uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。 通常，锗管的导通电压约为0.1～0.3V （一般取为0.2V），硅管的导通电压约为0.6～0.8V （一般取为0.7V）。 2.4 半导体二极管 当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩散更难进行。反向电流IR很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的范围内）。 但反向电流是温度的函数，将随温度的变化而变化。 常温下，小功率硅管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数