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AS 晶片簡介 AS 晶片簡介 AS 晶片簡介 TS 晶片簡介 TS 晶片簡介 TS 晶片簡介 GB 晶片簡介 GB 晶片簡介 MB 晶片簡介 MB 晶片簡介 MB 晶片簡介 晶片簡介 AlInGaP 晶片比較 AlInGaP 晶片比較 AlInGaP 晶片比較 AlInGaP 晶片比較 AlInGaP 晶片比較 AlInGaP 晶片比較 GaN / InGaN 晶片簡介 GaN / InGaN 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 Thanks for your attention! * * ■ 定義﹕ AS 晶片﹕Absorbable structure (吸收襯底）晶片﹔經過近四十年的發展努力﹐台灣LED光電業界對于該類型晶片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS晶片﹐特指UEC的AS晶片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等 ■ 特點﹕ 1. 四元晶片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規晶片要亮 2. 信賴性優良 3. 應用廣泛 (備注: AS晶片包括紅﹑黃﹑橙﹑黃錄色等晶片﹐不包括藍﹑錄色晶片) ■ 典型AS 晶片結構圖示﹕ ( 結構分析見后頁) ■ AS 晶片結構分析﹕ 各廠商晶片電極形狀不一致﹐目的﹕方便電流的擴散 晶片表面粗化﹐有助于量子效率的抽取 DBR(布拉格反射層 )層有助于亮度的提升 ITO 層(材料)具有良好的光透性和電流擴展性﹐在AlGaInP LED及GaN/InGaN LED都有廣泛的應用. GaAs 襯底吸光﹐整體亮度不及TS晶片 ■ 定義﹕ TS 晶片﹕ transparent structure(透明襯底)晶片﹐該晶片屬于HP 的專利產品。 ■ 特點﹕ 1.芯片工藝制作復雜﹐遠高于AS LED 2. 信賴性卓越 3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高 4.應用廣泛 ■ TS 晶片發展歷程﹕ 以上是 Lumileds 公司的晶片結構發展歷程 ■ TS 晶片特點 : 小芯片(0.3mm2 ) vs 大芯片(0.5mm2 ) vs TIP芯片(1mm2 ) 芯片特點： 1.流明輸出遠遠超出常規LED 2.制造過程很復雜，晶圓黏接(wafer bonding)不是很理想，因此制造成本較昂貴. 3.該技術屬於HP的專利，技術復雜，難以得到推廣. ■ 定義﹕ GB 晶片﹕Glue Bonding (粘著結合）晶片﹔該晶片屬于UEC 的專利產品 ■ 結構﹕ ■ 特點﹕ 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)晶片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS晶片的GaP襯底. 2﹕晶片四面發光﹐具有出色的Pattern圖 3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS晶片的水平(8.6mil) 4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極晶片 (AS chip) (GB chip) (TS chip) ■ 定義﹕ MB 晶片﹕Metal Bonding (金屬粘著）晶片﹔該晶片屬于UEC 的專利產品 ■ 結構﹕ ■ 特點﹕ 1: 采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易. GaP GaP Copper Silicon (Substrate) 50um 200um 150um 150um TIP-type Standard type TS-type AlGaInP LED Advanced type (The distance from light emitting area to heat sink) Standard type MB-type AlGaInP LED *Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K ■ 特點﹕ 2﹕通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收. 3: 導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱