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激光器件与技术第二章3
激光器件与技术 复习: 1、He-Ne激光器的能级图 2、Ne原子激光上能级的激发过程 能级共振转移 电子直接碰撞激发 串级跃迁 3、Ne原子激光下能级的弛豫过程 管壁效应 瓶颈效应 4、He-Ne激光器的最佳放电条件 6、He-Ne激光器的输出功率公式 5、He-Ne激光器的增益曲线和增益饱和 2、影响输出功率的因素 (1)放电条件对输出功率的影响 以上三图给出的是在不同放电管直径和长度时输出功率与充气条件的关系曲线,这些实验曲线对于选择最佳充气条件是很有用的。 同时说明,输出功率与管径和放电管长度有关。 增加放电管长度,减小放电管管径可提高输出功率。 比较三组曲线可得出以下结论: 在最佳充气条件下,最佳气压与放电管直径的乘积约为常数。 在工程设计中,通常取: 随着放电管直径的增大,最佳充气压将随之降低。 在最佳充气条件下,对应着最大输出功率的放电电流,称为最佳放电电流。 最佳放电电流还与放电管直径有关,最佳放电电流随放电管直径的增大而增大。 (2)透过率和损耗对输出功率的影响 激光器输出镜透过率、腔内损耗与输出功率的关系: 由此可求出最佳透过率 在最佳透过率下,可得最佳输出功率。 腔内损耗: 腔镜的吸收和散射损耗、放电管的衍射损耗、腔内光学元件的附加损耗以及腔镜失调的附加损耗。 (3)谱线竞争对输出功率的影响 3.39 ?m与 632.8nm两条谱线共用一个激光上能级,所以存在谱线竞争。 632.8nm谱线的输出功率要提高,必须抑制3.39 ?m谱线的振荡。 方法有: 1)腔内放置色散棱镜 2)腔内放置甲烷吸收盒 甲烷气体在3.39 ?m附近有强烈的吸收区。 3)外加非均匀磁场 根据塞曼效应,磁场会引起谱线分裂,分裂的大小正比于磁场强度。如果所加磁场是非均匀的,则各处谱线分裂程度不同,且从弱到强连成一片,相当于谱线展宽,即所谓“塞曼展宽”。 如图:在放电管轴线上形成非均匀磁场,对于632.8nm谱线展宽比例不大,但对于3.39 ?m的谱线展宽比例很大,而介质的增益系数反比于线宽,因此3.39 ?m谱线的增益系数显著降低,而632.8nm谱线的增益系数下降很少,这样就提高了632.8nm谱线的竞争能力。 (4)、使用氦的同位素可提高输出功率 实验表明:在充He-3的条件下,输出功率可提高25%左右,但He-3比He-4的价格要高很多。 3、输出功率的稳定性 He-Ne 激光器在工作过程中输出功率会随时间作周期性或随机的波动。 通常把波动频率在1Hz以下的慢变化称为功率漂移,波动频率在1Hz以上的变化称为噪声。 产生噪声的原因有以下几个方面: 自发辐射的随机性;谐振腔的振动;激光电源的变化;放电噪声等。 造成功率漂移的主要原因有: 1、放电电流的波动造成输出功率的波动 2、谐振腔光轴与毛细管轴线相对位置发生变化引起功率波动 3、纵模变化引起输出功率的波动 腔长变化造成纵模变化,使增益曲线的烧孔面积变化,从而引起功率变化。 减小漂移的措施: 1、尽量提高器件的净增益,漂移量相对减少。 2、减小热变形。 3、减小放电管所受应力。 4、抑制3.39 ?m的辐射。 5、在输出光路中放衰减器,取出部分激光功率作控制信号,去控制衰减器。 6、通过检测功率,然后控制电源和放电电流调节输出功率。 二、激光束的发散角 基模的远场发散角: He-Ne 激光器常采用平凹腔,对于平凹腔: 远场发散角: 令: 则: 由上式可以看出,当腔长L一定时,随着?的增加?将减小,或?不变,随L的增加?也将减小。 为了得到相同的发散角? ,腔长较长的激光器可采用?值较小,腔长较短的激光器则要采用?值较大。 为了得到较小的发散角? ,则应选用R和L值都较大,但R、L值过大,不仅调整困难,而且工作过程中容易失调造成功率漂移。 在小型He-Ne 激光器中常采用曲率半径较小的凹面镜,但这样发散角大,所以常采用凹凸会聚透镜作输出镜。 一般满足: 可压缩几倍的发散角 发散角的测量方法如图: 测量发散角主要还是测量光斑半径 实际光束的发散角一般要经过测量得到: 光斑半径的测量方法: (1)套孔法 套孔法、针孔(狭缝)法、刀口移动法、CCD测量法 主要用来测量基模 基模光束光强高斯分布 按光斑半径的定义:场振幅降为中心处(最大值)的1/e时,距中心点的距离。 此时,光斑直径(半径)内的功率为总功率的86%。 具体测量方法如图所示: 利用该方法要注意:小孔中心必须与光轴重合, 可见光可由衍射图样来判断是否重合 非可见光只能通过功率最大来判断是否重合,且误差较大。 (2)针孔(狭缝)法 在激光截面上,利用小孔或狭缝扫描光斑,使激光光斑沿垂直于光束的方向移动,其移动速度恒定,将探测器输出信号显示在指示器上,得到光功率随位移变化的分布曲线,从而找到激光光斑半径。
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