第九章 半导体存储器（草稿）.pptVIP

* 第八章 半导体存储器 了解存储器的结构功能和特点 8.0 存储器概述 存储器——存放大量二进制数字的器件。 按材料分类 1) 磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带 2) 光介质类——CD、DVD、MO 3) 半导体介质类——FLASH ROM、SDRAM、EEPROM 按功能分类 主要分RAM和ROM两类，不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM, 磁盘， ROM: CD, DVD, FLASH ROM, EEPROM 本课主要讲述半导体介质类器件 性能指标 1)存储容量——字数X位数；256X8bit=256字节，一般用位数表示：xxx256表示256(k)bit=32(k)*8=32(k)字节 2) 存取时间——存储器操作的速度 8.1 随机存储器RAM RAM——在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，读写速度很快。但一般有易失性，数据掉电后就消失(也有非易失性的RAM,实际上类似于ROM)。 RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 1.存储器的基本结构 存储器的每个存储单元是一个单元电路，由于存储器的容量巨大，一般都把存储单元排列成矩阵形式。分行列译码，用两条线来共同选择存储单元。 A0 A1 A2 A3 CSX0 CSX1 CSX15 行地址译码器 …… 列地址译码器 A4 A5 A6 A7 CSY0 CSY1 CSY15 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 …… CS0 CS1 CS255 地址译码器 存储器阵列 0 1 255 0 1 15 16 17 32 32 241 255 256条选择线 32条选择线 A0 Ai 行地址译码器 ….. 列地址译码器 Ai+1 An-1 …… 存储矩阵 读写控制电路 CS R/W I/O 地址输入 控制输入 数据输入/输出 存储器有三组输入信号：地址输入、控制输入和数据输入 一组输出信号：数据输出 一般在存储器中都使用双译码形式，就是如图的地址分成行列两组的形式，以简化电路 静态RAM存储单元(SRAM) 六管NMOS存储单元 Y X T3 T4 T2 T1 T5 T6 T8 T7 D D A B T1,T3构成一个NMOS反相器 B为输入，A为输出 T2,T4构成一个NMOS反相器 A为输入，B为输出 I O VDD B A 线与 A A B D D D D B Y X T3 T4 T2 T1 T5 T6 T8 T7 D D A B 触发器构成的存储单元的内部输入/输出A,B A经T5,T7连接数据线D B经T6,T8连接数据线D 只有X,Y选择线都是高电平，内部输入、输出才和外部数据线连接，也就是该存储单元被选中。 行选择线X控制T5,T6 X=1时T5,T6导通 X=0时T5,T6截止 列选择线Y控制T7,T8 Y=1时T7,T8导通 Y=0时T7,T8截止 CMOS六管存储单元 原理与NMOS六管静态存储单元类似： 以CMOS反相器的原理用T1~T4构成一个基本RS触发器，其中T1,T3构成一个CMOS反相器,T2,T4构成另一个。 其他MOS管构成连接控制。 静态存储单元存储数据依据触发器自锁的原理，利用触发器保存数据，所以数据是非破坏性读出，一次写入，可以反复读出，对存储的数据没有反作用。写入时，只要在D/D上加上反相的信号，就可以引起触发器的翻转，实现数据写入。 动态存储单元(DRAM) 静态存储单元功耗高，体积大，大容量存储器一般都采用动态存储单元 读出过程中：电容C上若充有足够电荷，其电压足够使T2导通，输出线DO上就得到低电平0，否则得到1。 写入过程就是给电容充电和放电的过程。 存储依赖电容存储电荷 每次从DRAM中读出数据时，都会使电容C上的电荷减少，所以DRAM的读出过程是破坏性读出，每次读出后必须及时给电容再次充电，维护其内容。 C上电荷也不能长时间维持，所以还必须定时对电容充电，称为再生或刷新。 读取时：X,Y选中该单元，T1,T3，T4,T5都开通。DO上得到存储的数据; 同时R=1,内部数据经写入刷新单元刷新电容C，刷新电平是D 如果D=0;对应C应该充满电，刷新电平为1,重新给电容充电 如果D=1;对应C应该不充电，刷新电平为0，对C放电。 1 D D 0 D 1 写入数据时： X,Y选中该单元，控制管开通。数据从DI输入，经写入刷新控制电路，对电容充放电。 0 0 0 1 D D D 经过写入刷新控制电路，对电容充放电的电平是D 若D=0,则对电容充电 D=1,则对电容放电。 定时刷新时: 只选通行选择线X,并令R/W=1; 此时Y不通，DI,DO都断开， 与读出数据时相同，数据经写入刷新控制单元，根据原来存储的数据自