第九章 光电式传感器 9-2.pptVIP

9.1 光电器件 光电器件是将光能转变为电能的一种传感器件。是构成光电式传感器的主要部件。 光电器件工件的物理基础：光电效应。 光电效应分为：内光电效应、外光电效应 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 光敏二极管 将光敏二极管的PN 结设置在透明管壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的PN结时，电子-空穴对数量增加，光电流与照度成正比。 光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 2. 光敏三极管 集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。 P P N b e c N N P e b c 普通三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 光敏三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 IC e EC IE RC c N N P b 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍。 基本工作线路： c b e RL 光敏晶体管的主要特性 (1) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 (2) 伏安特性 0 1 2 3 4 5 外加电压（V） 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500Lx 1000Lx 500Lx 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特 性一样。只需把光电流看作基极电流即可。 (3) 光照特性 1.0 2.0 3.0 200 400 600 800 1000 Lx 0 I(μA) 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件 近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 (4) 温度特性 暗电流（mA) 10 30 50 70 0 25 50 oC 200 400 100 300 500 光电流（ μ A) 10 30 50 70 0 oC 温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿。 (5) 频率特性 减小负载电阻可以提高响应频率，但将使输出降低。故使用时要根据频率选择最佳的负载电阻。硅管的响应频率比锗管的好。 20 40 60 80 100 相对灵敏度（%） f(kHZ) 1 10 100 0 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电器件。由于它可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。故光电池是有源元件。 * * 光电器件 光敏电阻 1. 光敏电阻的结构和工作原理 A E 电极 半导体 玻璃底板 RL E I RG 光敏电阻的结构与电路连接 光电器件 光敏电阻 1. 光敏电阻的结构和工作原理 它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质, 半导体的两端装有金属电极, 金属电极与引出线端相连接, 光敏电阻就通过引出线端接入电路。 为了防止周围介质的影响, 在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜, 漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。 光电器件 光敏电阻 光电器件 如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小： 暗电流（越小越好） 光敏电阻具有很高的灵敏度、很好的光谱特性、很长的使用寿命、高度的稳定性能、小的体积及工艺简单，故应用广泛。 当光照射到光电导体上时，若光电导体为本征半导体材料，而且光辐射能量又足够强，光导材料价带上的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。 2. 光敏电阻的主要参数和基本特性 （1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流 光敏电阻在未受到光照时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流为暗电流。 在受到光照时的电阻称为亮电阻，此时的电流称为亮电流。 亮电流与暗电流之差为光电流。 （2）光照特性 用于描述光电流与光照强度之间的关系。 多数是非线性的。不宜做线性测量元件，