新式整合NDR元件与RITD元件之新型SRAM单元之制程与设计探讨.PDF

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2018-11-25 发布于天津
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新式整合NDR元件与RITD元件之新型SRAM单元之制程与设计探讨

行精類行年年行立林參理理林理李臨理李理林理林理論理利年年行 (I) 類 NSC96 2221 E 110096 行 96 年 8 1 97 年 7 31 林參林李臨李林林行立年 (I) The research on New Integration of NDR and RITD for New Structure SRAM” NSC962221E110096 行96 年8 1 97 年7 31 林立理 NDR (negative differential resistance 量良例理論切路度量流流率切度率更若路理若數數行列數路行列路列 The conventional SRAM is generously used 利 in high speed application continuously. Such