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STM-STS在纳米结构电子态和输运性质研究中的新进展 第26卷第4期 2007年8月 电子显微 JournalofChineseElectronMicroscopySociety Vol一26.No.4 20o7—08 文章编号:1000.6281(2007)04.0370—17 STM/STS在纳米结构电子态和输运性质 研究中的新进展 杨冬冬,王兵,侯建国 (中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,安徽合肥230026) 摘要:本文介绍了扫瞄隧道显微术及扫描隧道谱(STM/STS)半导体,金属量子点及单分子电子态和电子输运性 质研究的最新进展.STM具有高的空间和能量分辨率,不仅可用于表面和纳米体系的结构表征.而且可用于研究 表面和纳米结构局域电子态和电子输运性质.半导体,金属量子点及单分子通常具有分立的电子能级结构.利用 STM的探针空间局域的探测能力和较高的能量分辨本领,近年来有大量工作对这些低维体系的电子态进行了研 究,对这些体系单体结构的电子输运性质研究获得了有趣的新结果. 关键词:扫瞄隧道显微术,扫描隧道谱;量子点;单分子;纳米结构;电子态;电子输运 中图分类号:047;048;TG115.215.7;TG115,215.9;TH742.9文献标识码:A 扫瞄隧道显微镜,由于较高的空间和能量分辨 率,以及对原子,分子的操纵能力,可以用来研究纳 米尺度材料的电子态密度及电子输运性质.扫描隧 道显微术(scanningtunnelingmicroscopy,简称STM)和 扫描隧道谱(scanningtunnelingspectroscopy,STS)已 成为当今凝聚态物理中研究纳米结构电子态和输运 性质的的重要方法. 根据STM的工作原理…,隧道电流与针尖和样 品的电子态密度密切相关.当针尖的电子态密度和 针尖与样品间的隧穿矩阵元可以近似为常数时,通 过对微扰理论的进一步近似,可以得到 ,.cIl0(E)dE,或而dl.c.,E),(1)√0u 其中10是样品的电子态密度.这表明,我们可以通 过测量电流,或微分电导dl/dV,获得有关样品电 子态密度的信息,研究样品的电子输运性质.我们 已对STM谱学的原理和应用作过介绍,读者也 可以参考相关文献n].本文中,我们将根据具 体实验,对STM/STS在纳米尺度材料中电子态及电 子输运性质的研究进行介绍.主要内容包括半导 体,金属量子点及单分子等低维结构中电子态,电子 自旋态和电子输运等方面研究的最新进展. 收稿日期:2007—05—09 基金项目:国家自然科学基金资助项目(No. Foundationitem:NationalScienceFoundationofChina(No 作者简介:杨冬冬(1984一),女(汉族),安徽人,硕士. *通讯作者:王兵(1968一),男(土家族),重庆人,教授. 1STM/STS对纳米结构电子态密度 的研究 主要讨论对半导体,金属量子点及核壳结构量 子点,单分子等低维纳米结构的电子态研究.金属 和半导体由于电子态密度和电子有效质量的差异, 对这些结构电子态的精细表征,所需要的条件有所 差异.早期对金属量子点的研究需要在极低温(mK 量级)下进行,而对半导体的研究可以在液氦温度 (4.2K)条件下进行.近年来,由于样品制备技术及 STM能量分辨能力的提高,对金属和半导体量子点 均可采用STM/STS技术开展.对单个分子电子态的 研究也得到了越来越多的关注,本节主要介绍对富 勒烯分子电子态的研究.其他分子体系将在第3节 中单分子电子输运性质一起介绍. 1.1半导体量子点 1999年,Banin等..利用低温STM/STS研究了 化学方法制备的InAs量子点在双势垒隧道结中的 扫描隧道谱,直接测量到了半导体量子点的类原子 电子态.如图l所示,他们观察到,在正偏压下(样 品正偏压,反映样品导带电子结构)由于单电子充电 效应造成分裂的双峰结构(单重态)和六峰结构(三 重态),分别对应于量子点的s态和P态.在s态或 P态中,两峰间的能量差反映了库仑充电能.对于 第4期杨冬冬等:STM/STS在纳米结构电子态和输运性质研究中的新进展371 图1al半径为3.2nm的InAs量子点,-谱,右下插图为双势垒隧道结示意图,左上插图是单个量子点的STM像(1On× 10nm);b:半径为3.2nm的InAs量子点dlidV谱;c:量子点的尺寸依赖关系…]. Fig.1STMmeasurementsonsingleInAsnanocrystalwithdifferentradius,acquiredat4.2K.a:Thetunneling/-Vcharacteristicofa singleInAsnano