光刻与刻蚀工艺技术知识.ppt

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微电子工艺学 Microelectronic Processing 第六章 光刻与刻蚀工艺;图形转移; ;氧化:高品质SiO2的成功开发,是推动硅(Si)集成电路成为商用产品主流的一大动力。一般说来, SiO2可作为许多器件结构的绝缘体,或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。如在p-n结的制造过程中, SiO2薄膜可用来定义结的区域。 图 (a)显示一无覆盖层的硅晶片,正准备进行氧化步骤。在氧化步骤结束后,一层SiO2就会均匀地形成在晶片表面。为简化讨论,图 (b)只显示被氧化晶片的上表层。;光刻技术被用来界定p-n结的几何形状。在形成SiO2之后。利用高速旋转机,将晶片表面旋涂一层对紫外光敏感的材料,称为光刻胶(photo-resist)。将晶片从旋转机拿下之后[图 (c)],在80C~100C之间烘烤。以驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶,加强光刻胶与晶片的附着力。如图 (d)所示,下一个步骤使用UV光源,通过一有图案的掩模版对晶片进行曝光。对于被光刻胶覆盖的晶片在其曝光的区域将依据光刻胶的型态进行化学反应。而被暴露在光线中的光刻胶会进行聚合反应,且在刻蚀剂中不易去除。聚合物区域在晶片放进显影剂(developer)后仍然存在,而未被曝光区域(在不透明掩模版区域之下)会溶解并被洗去。;图 (a)为显影后的晶片。晶片再次于120℃~180 ℃之间烘烤20min,以加强对衬底的附着力和即将进行的刻蚀步骤的抗蚀能力。然后,使用缓冲氢氟酸作酸刻蚀液来移除没有被光刻胶保护的一。氧化硅表面,如图4(b)所示。最后,使用化学溶剂或等离子体氧化系统剥离(stripped)光刻胶。图 (c)显示光刻步骤之后,没有氧化层区域(一个窗户)的最终结果。晶片此时已经完成准备工作,可接着用扩散或离子注入步骤形成p-n结。;在扩散方法中,没有被SiO2保护的半导体表面暴露在相反型态的高浓度杂质中。杂质利用固态扩散的方式,进入半导体晶格。在离子注入时,将欲掺杂的杂质离子加速到一高能级,然后注入半导体内。 SiO2可作为阻挡杂质扩散或离子注入的阻挡层。在扩散或离子注入步骤之后,p-n结已经形成,如图(d)所示。由于被注入的离子横向扩散或横向散开(lateral straggle,又译横向游走)的关系,P型区域会比所开的窗户稍微宽些。;在扩散或离子注入步骤之后,欧姆接触和连线在接着的金属化步骤完成[图 (e)]。金属薄膜可以用物理气相淀积和化学气相淀积来形成。光刻步骤再度用来定义正面接触点,如图 (f)所示。一相似的金属化步骤可用来定义背面接触点,而不用光刻工艺。一般而言,低温(≤500。C)的退火步骤用来促进金属层和半导体之间的低电阻接触点。随着金属化的完成,p-n结已经可以工作了。; 在集成电路制造中,主要的光刻设备是利用紫外光(≈0.2~0.4?m)的光学仪器。 刻蚀:在光刻胶掩蔽下,根据需要形成微图形的膜层不同,采用不同的刻蚀物质和方法在膜层上进行选择性刻蚀。 这样,去掉光刻胶以后,三维设计图形就转移到了衬底的相关膜层上。图形转移工艺是如此重要,以至一种微电子工艺技术的水平通常以光刻和刻蚀的图形线宽(特征尺寸)表示。;光刻(lithography)是以一种被称为光刻胶的光敏感聚合物为主要材料的照相制版技术。集成电路发明至今,电路集成度提高了六个数量级以上,主要归功于光刻技术的进步。;光刻工艺的重要性源于两个方面: a. 微电子制造需进行多次光刻,耗费总成本的30%。因此光刻是主流微电子制造过程中最复杂、昂贵和关键的工艺; b. 随着器件和电路特征尺寸的不断缩小,光刻工艺已成为微电子技术进一步发展的主要瓶颈。 在目前基础上进一步缩小光刻图形尺寸会遇到一系列技术上甚至理论上的难题,因此大批科学家和工程师正在从光学、物理学、化学、精密机械、自动控制以及电子技术等不同途径对光刻技术进行深入的研究和探索。 ;以ULSI为例,对光刻技术的基本要求包括几个方面: a. 高分辨率:以线宽作为光刻水平的标志; b. 高灵敏度光刻胶:为提高产量,希望曝光时间尽量短; c. 低缺陷:光刻引入缺陷所造成的影响比其它工艺更为严重; d. 精密的套刻对准:一般器件结构允许套刻误差为线宽的?10%; e. 对大尺寸基片的加工:在大尺寸基片上光刻难度更大。;光刻胶 光刻胶(photoresist,又称光致抗蚀剂)是一类对辐照敏感的、由碳、氢、氧等元素组成的有机高分子化合物,这类化合物中均含有一种可以由特定波长的光引发化学反应的感光剂(PAC: photoactive compound)。依其对光照的反应分成正性光刻胶 与负性光刻胶。

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