光刻技术知识探究.ppt

电子束光刻技术探究;内容提纲;第一章 绪论;1.1光刻技术发展概况;光源波长的发展;1.2电子束光刻定义;1.3电子束光刻分为两大类：;第二章 电子束曝光机原理及系统 ; 表l为不同电子束源主要特性的比较。一般直写式曝光机主要使用的是热场发射源(表面镀ZrO的钨金属针尖)，工作温度在1800K，和冷场发射源相比可以有效地防止针尖的污染并提供稳定的光源。;2.2 几种常见的电子束曝光系统;曝光系统对比;;电子束曝光及其相关工艺设备; ; ; ;; 如图a所示，当曝光剂量为210mC/cm2变到230mC/cm2时，得到的电极间隔从15nm降到12nm,当保持曝光剂量230不变时，增长显影时间，从80s增加到120s和180s，这时得到的电极间隔为从11nm陆续减小到9nm和7nm，如图b所示，使用这种方法制备电极的成品率可以达到100%，3nm-4nm电极为15%，。此外，这种方法制备的电极对具有良好的绝缘性，漏电阻高达1012欧姆-1013欧姆，可应用于多种纳米电子学器件的研究。;4.2 其他方面的应用;湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 Province Key Laboratory of Plasma Chemistry Advanced Materials