原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第八章 光刻经典案例.ppt
微电子技术工艺原理;教学大纲;Contents;How to meet the process requirement ???;Fab Cost;Yield;How Does Fab Make Money;How Does a Fab Make (Loss) Money;三道防线:
超净间（clean room）
硅片清洗（wafer cleaning）
吸杂（gettering）;一、超净间;Cleanroom Structure;Illustration of Fab Floor;恒温、恒湿！;硅片清洗;SC-1 (APM，Ammonia Peroxide Mixture)：
NH4OH(28%):H2O2(30%):DI H2O=1:1:5～1:2:7
30～80?C, 10min 碱性（pH值7）
氧化有机膜
形成金属络合物
缓慢溶解原始氧化层，再氧化——去除颗粒;SC-2 (HPM，Hydrochloric Peroxide Mixture):
HCl(73%):H2O2(30%):DI H2O=1:1:6~1:2:8
65～80?C, 10min 酸性（pH值7）
将碱金属离子及Al3＋、Fe3＋和Mg2＋在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物
进一步去除残留的重金属污染（如Au）;吸杂;碱金属离子的吸杂：
PSG——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物
超过室温的条件下，碱金属离子即可扩散进入PSG
超净工艺＋Si3N4钝化保护——抵挡碱金属离子的进入;二、光刻步骤;光刻步骤详述;硅片对准，曝光;坚膜：10～30 min，100～140 ?C;图形转移——刻蚀;图形转移——剥离（lift-off）;去胶
溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。
正胶：丙酮;1、曝光设备;接触和接近式曝光;投影式;基本参数：
分辨率(resolution)
焦深(depth of focus)
套刻精度(alignment accuracy)
产率(throughput)
……;NA?，焦深? ?;光源;高压汞灯光谱图;248 nm;Phase Shift Mask; 光学临近修正OPC (optical proximity correction);OPC实例;2、掩膜;;掩模版制作过程;若制备IC芯片需要N块掩膜版，则最终的成品率Y:;光刻胶的作用：对于入射光子有化学变化，通过显影，从而实现图形转移。
; 光刻胶的参数;DUV深紫外光刻胶; 电子束光刻;扫描方式：;电子抗蚀剂; 极紫外光刻 (EUV) ——10~14nm; X射线光刻——1nm; 离子束光刻;五、光刻方法比较
文档评论（0）