集成电路工艺chap0 引言方案策划.pptVIP

厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。 单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。 0．2 集成电路的发展历史 随着硅平面工艺技术的不断完善和发展，到1958年，诞生了第一块集成电路，也就是小规模集成电路（SSI）；到了20世纪60年代中期，出现了中规模集成电路(MSI)；20世纪70年代前期又出现了大规模集成电路（LSI）；20世纪70年代后期又出现了超大规模集成电路（VLSI）；到了20世纪90年代就出现了特大规模集成电路（ULSI）。可以说集成电路的集成度几乎以每年翻一番的速度高速发展。 集成电路的制作可以分成三个阶段：①硅晶圆片的制作；②集成电路的制作；③集成电路的封装。目前，硅晶圆片（wafer）是以8in（直径200mm）为主，集成电路的设计与制造的最小线宽约为0.25~0.18μm。平均而言，每一个8in硅晶圆片上要制作200-300个芯片面积在2cm2左右的集成电路。 集成电路的制造工艺流程十分复杂，而且不同的种类、不同的功能、不同的结构的集成电路，其制造的工艺流程也不相同。人们通常以最小线宽（或称特征尺寸）、硅晶圆片的直径和动态随机存储器的容量，来评价集成电路制造工艺的发展水平。 在表0-1中列出了从1995年到2010年集成电路的发展情况和展望。 年代 1995 1998 2001 2004 2007 2010 特征尺寸/μm 0.35 0.25 0.18 0.13 0.10 0.07 DRAM容量/bit 64M 256M 1G 4G 16G 64G 微处理器尺寸/mm2 250 300 360 430 520 620 DRAM尺寸/mm2 190 280 420 640 960 1400 逻辑电路晶体管密度 （晶体管数）/个 4M 7M 13M 25M 50M 90M 高速缓冲器（bit/cm2） 2M 6M 20M 50M 100M 300M 最大硅晶圆片直径/mm 200 200 300 300 400 400 集成电路的技术发展趋势，是向较大的硅圆晶片及较小的特征尺寸方向发展。这样，可以在其体积不变的情况下，不断增强集成电路的功能，降低使用的成本。但从另一方面看，为了减小特征尺寸，在工艺及设备上的研究和制造方面所花费的成本，也越来越高。一般讲要制造一个可制造的64 MB DRAM的生产线，需要投资约10亿美元。 集成电路技术的发展促使集成电路制造设备加工技术的提高，如电子束曝光、软X射线曝光、等离子(或反应离子)刻蚀、离子注入等一系列微细加工技术和计算机辅助工程(CAE)、包括计算机辅助制造(CAM)、计算机辅助测试(CAT)及计算机辅助设计(CAD)等技术也相继得到提高。同时,比如铜引线工艺、低K介质材料等新工艺也引起人们研究的兴趣。 集成电路50年变迁：芯片制造商达到空前水平 据美国《连线》杂志报道，1958年，美国德州仪器公司展示了全球第一块集成电路板，这标志着世界从此进入到了集成电路的时代。集成电路具有体积小、重量轻、寿命长和可靠性高等优点，同时成本也相对低廉，便于进行大规模生产。 　　在近50年的时间里，集成电路已经广泛应用于工业、军事、通讯和遥控等各个领域。用集成电路来装配电子设备，其装配密度相比晶体管可以提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可以大大提高。 以下为集成电路50年来的简要发展和应用情况： 1、第一块集成电路板 几根零乱的电线将五个电子元件连接在一起，就形成了历史上第一个集成电路。虽然它看起来并不美观，但事实证明，其工作效能要比使用离散的部件要高得多。历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手。当时，晶体管的发明弥补了电子管的不足，但工程师们很快又遇到了新的麻烦。为了制作和使用电子电路，工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件，如晶体管、二极管、电容器等。